原创力文档- 5
- 0
- 约4.04万字
- 约 32页
- 2023-07-22 发布于四川
- 举报
本公开涉及一种光子集成电路(1)，包括装配在具有外延层堆叠(2)的半导体晶圆上的第一光电器件(10)和第二光电器件(12)，外延层堆叠(2)包括设置有至少一个选择性p型掺杂管状区域(6)的n型基于磷化铟的接触层(3)，区域(6)用于在第一光电器件和第二光电器件的各自的n型接触区域之间提供电气屏障，第一光电器件和第二光电器件通过装配在包含磷化砷铟镓的非故意掺杂波导层(9)中的无源光波导(14)光学互连，非故意掺杂波导层被布置在n型掺杂接触层的顶部上，至少一个选择性p型掺杂管状区域的第一部分(15)
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111580215 A
(43)申请公布日
2020.08.25
(21)申请号 20201
文档评论（0）