一种金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板的制造方法.pdfVIP

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2023-07-22 发布于四川
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一种金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板的制造方法.pdf

一种金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板的制造方法，包括：经成膜、曝光、显影、蚀刻及剥膜后在玻璃基板上图案化出第一金属层；在已图案化好的第一金属层上沉积一层IGZO层，并共用第一金属层的光罩进行曝光、显影、蚀刻及剥膜；用绝缘层的光罩曝光显影第一金属层上方的IGZO层，仅曝光出绝缘层需要开孔的地方；对显影后的IGZO层进行第二次草酸蚀刻，蚀刻掉绝缘层开孔位置的IGZO，随后再去除光阻；采用PECVD方式沉积绝缘层，隔绝覆盖在第一金属层之上；采用PVD方式沉积半导体层IGZO，并进行图案化处理，形成TFT

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116469834 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202310228571.X (22)申请日 2023.03.10 (71)申请人华映科技（集团）股份有限公司地址

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