集成电路工艺基础——离子注入课件.pptVIP

v核碰撞和电子碰撞v注入离子在无定形靶中的分布v注入损伤v热退火电子科技大学中山学院 v 离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程，注入能量介于1KeV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm～10um。离子剂量变动范围，从用于阈值电压调整的1012/cm2到形成绝缘埋层的1018/cm 。2v 相对于扩散，它能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。v 离子注入已成为VLSI制程上最主要的掺杂技术。一般CMOS制程，大约需要6~12个或更多的离子注入步骤。电子科技大学中山学院 v隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断v调整阈值电压用的沟道掺杂vCMOS阱的形成v浅结的制备在