【单片微机原理及应用】第6章存储器.pptxVIP

第6章 半导体存储器本章学习要点： 1、典型的半导体存储器芯片 2、CPU与存储器的连接 1§6.1概 述 性能指标分类 2§6.1.1半导体存储器的性能指标 1、容量 2、最大存取时间 3、其他指标 3静态RAM（SRAM）动态RAM（DRAM） 集成RAM （IRAM）随机存取存储器（RAM）半导体存储器掩膜式ROM一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM）电擦除可编程ROM（EEPROM）只读存储器 （ROM）§6.2.1半导体存储器的分类1、从应用的角度分类4读写存储器RAM组成单元速度集成度应用SRAM触发器快低小容量系统DRAM极间电容慢高大容量系统5只读存储器ROM掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改PROM：允许一次编程，此后不可更改EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除62、从在系统中的位置分类CPUCACHE主存（内存）接口辅存（外存）比较：价格容量访问速度访问频率73、从从制造工艺上分双极型M：TTL电路、集成度低、功耗大、价格高、速度快。常用作高速缓冲器。单极型M：MOS电路，集成度高、功耗小、价格低。有多种制造工艺， NMOS（N沟道