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低频电子线路课件绝对珍藏《低频电子线路》1第一页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》2上节课回顾静态工作点稳态电路Q点不稳定的因素基极分压式射极电阻共射放大电路晶体管放大器的三种组态第二页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》3本节课内容场效应晶体管结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET）第三页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》4§ 1.4 场效应晶体管场效应晶体管(Field Effect Transistor )简称FET第四页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》51.4.1 场效应管简介场效应管是一种不同于前述双极型晶体管（BJT）的一种半导体器件。第五页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》6两者工作机理不同双极型晶体管（BJT）有两种载流子（多子、少子）场效应管（FET）有一种载流子（多子）第六页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》7控制方式的不同双极型晶体管（BJT）电流控制方式场效应管（FET）电压控制方式第七页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》8场效应管分类分为两大类：结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET）第八页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》9MOS场效应管（MOSFET）在绝缘栅场效应管（IGFET）结构的器件中，最常见为金属—氧化物—半导体结构 （Metal—Oxide—Semiconductor），故称为MOSFET，简称MOS器件。第九页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》10JFET器件JFET分为两类: N沟道JFET P沟道JFET 第十页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》11MOSFETMOSFET 分为:N沟道MOSFET P沟道MOSFET 第十一页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》12N沟道MOSN沟道MOS又分为N沟道 增强型（Enhancement ） --------- ENMOSFETN沟道 耗尽型（Depletion ） ---------- DNMOSFET第十二页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》13P沟道MOSP沟道MOS又分为P沟道 增强型（Enhancement ） ---------E PMOSFETP沟道 耗尽型（Depletion ） ----------D PMOSFET第十三页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》141.4.2 结型场效应管（JFET）是一种利用PN结原理但与BJT截然不同的常见的FET。第十四页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》151.??符号和结构注意场效应管的结构、原理和符号都不同于BJT。以下注意看结型场效应管（JFET）的情况。第十五页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》16JFET（图）第十六页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》172． NJFET工作原理以下以N沟道为例分析JFET工作原理。第十七页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》18外加偏置管子工作要求外加电源保证静态设置： VDS 漏极直流电压------加正向电压 VGS 栅极直流电压------加反向电压第十八页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》19① VGS 栅极直流电压的作用（图）第十九页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》20看VGS的作用（不加VDS ）横向电场作用︱ VGS ︱↑ → PN结耗尽层宽度↑ → 沟道宽度 ↓ 第二十页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》21② VDS 漏极直流电压的作用（图）第二十一页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》22看VDS的作用（不加VGS ）纵向电场作用在沟道造成楔型结构（上宽下窄）第二十二页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》23③ VGS和VDS的综合作用仍为楔型结构（图）第二十三页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》24楔型结构 a点（顶端封闭） ——预夹断 b点（底端封闭） ——全夹断（夹断）第二十四页，共八十七页，2022年，8月28日 《低频电子线路》25说明随沟道宽窄变化，使通过的载流