半导体存储器及其接口.pptVIP

微机原理及接口技术 第5章 半导体存储器及其接口微机原理与接口技术 半导体存储器的分类与基本结构 随机存取存储器 只读存储器 存储器与CPU的连接 微机内存层次结构 微机系统的内存管理主要内容 §5.1 存储器概述 存储器是计算机系统中的记忆部件，用来存放用二进制数据表示的程序和数据。内存储器外存储器RAMROMDRAMPROMEPROME2PROM磁盘SRAM掩膜ROM光盘 5.1.1 半导体存储器的分类与性能指标1. 分类 SRAM：存取速度快、功耗大、价高、集成度低。 DRAM：存取速度慢、功耗小、价低、集成度高。（1）RAM（2）ROM 掩膜ROM：内容在芯片制造过程中固化。 PROM：内容只能写一次。 EPROM：内容可多次改写，紫外线擦除。 E2PROM：电擦除的EPROM。 2. 性能指标（1）容量：每块芯片上能存储的二进制位数， 单位N×M。（2）速度：存取数据的时间，单位ns。（3）功耗：功耗和速度成正比， 单位μw/单元或 mw/芯片。（4）价格 5.1.2 半导体存储器的基本结构地址信号控制信号读/写控制地址译码器数据信号… 存储体 地址译码器实现对存储单元的寻址，常用的有单译码和双译码方式。1. 单译码方式5.1.3 存储单元的寻址单译码方式主要用于小容量的存储器。 图5-1　单译码结构示意图Ap-1Ap-2A1A0N 取 1 译 码 器基本存储电路p个输入M位位线D0D1DM－1N根字线N=2p个地址输出缓冲放大器W0W1… … … …选中的字线输出M位Wn-1???????????????? 2. 双译码方式图5-2　双译码结构示意图A0A1A2A3A4X(行)地址译码器X0X31...W0,0W31,0W0,31W31,31Y0Y31基本存储电路R/W控制数据输入数据输出A5A6A7A8A9… ????Y(列)地址译码及I/O控制 例 Intel 2732 ROM (4K?8bit)： 12位（212=4K）地址线 8位I/O数据线 Intel 2114 RAM (1K?4bit)： 10位（210=1K）地址线 4位I/O数据线 §5.2 随机存取存储器RAM RAM可以随时在任意位置上存取信息，但怕掉电。根据存储器芯片内部基本单元电路的结构，可分为静态RAM和动态RAM。 1. 单元电路5.2.1 静态RAM（SRAM）图5.3　6管SRAM存储单元电路 图5.4　SRAM芯片组成示意图A0A1A2A3A4X译码驱动132...控制电路I/O电路输出驱动输出A5A6A7A8A923132?32＝1024存储单元. . . 123132Y译码输入读/写片选2. SRAM芯片组成 3. RAM芯片实例（1）Intel 2114 （1K×4 bit SRAM）A0~A9：地址输入　 CS：片选I/O1~I/O4：数据I/O　WE：写允许CS　WE 0　 0　　写操作 0　 1　　读操作 （2） Intel 6116 （2K?8bit SRAM）图5-5　6116结构框图A4A10A0A3...…X行译码Y列译码＆＆128存储矩阵128?12816?8I/O控制电路8数据输入/输出缓冲器I/O0I/O7CEWEOE...??16 5.2.2 动态RAM（DRAM）1. 单元电路刷新放大器列选择信号行选择信号QC图5-6　单管DRAM存储单元电路数据输入/输出线 2. DRAM的刷新 DRAM是利用电容存储电荷的原理保存信息的。为防止电容逐渐放电使信息丢失，DRAM需要在预定的时间内不断进行刷新。 所谓刷新就是把写入到存储单元的数据读出，经过放大器放大后再写入该单元。 DRAM的刷新是一行一行进行的，每刷新一行的时间称为刷新周期。刷新的方式有三种：集中刷新、分散刷新和异步刷新。 集中刷新 在信息保存允许的时间范围（如2ms） 内，集中一段时间对所有基本存储单元 一行一行地顺序进行刷新。 分散刷新 每隔一段时间刷新一次，刷新操作与 CPU操作无关。 异步刷新 在一个指令周期中，利用CPU不进行访 问存储器操作时进行刷新的方法。 图5-7　DRAM控制器逻辑图 3. DRAM芯片实例 4164的8条地址线重复使用，采用行列地址复合选择法得到16位地址信号寻址64K个存储单元。片内64K个存储单元排列成4个128 ×128存储矩阵，即每