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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    公开了一种用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该方法包括：在SiC半导体本体的内部区和边缘区中形成具有多个沟槽的沟槽结构，使得沟槽结构从半导体本体的第一表面穿过第二半导体层延伸到第一半导体层中，并且使得沟槽结构在第二半导体层中形成多个台面区；以及至少部分地在内部区中的台面区中的每一个中形成至少一个晶体管单元。形成每个晶体管单元包括形成至少一个补偿区，形成至少一个补偿区包括经由沟槽的侧壁将第二掺杂类型的掺杂剂原子注入到内部区中的台面区中，并且在内部区中的台面区的每一个中形成至少一个补偿区包括用注

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504712 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310088999.9 (22)申请日 2023.01.29 (30)优先权数据 3 2022

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