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本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及生长方法，包括坩埚主体，用于盛放及加热碳化硅原料，坩埚主体内设置有阻流元件，将坩埚主体的内腔分为由上至下的生长腔与原料腔，阻流元件开设有连通生长腔与原料腔的开口，生长腔用于生长碳化硅晶体，原料腔内填充碳化硅原料；原料腔内设置有Si源补充容器，Si源补充容器与阻流元件之间形成气体通道，Si源补充容器埋覆于所述碳化硅原料内，Si源补充容器内填充有含硅粉料，含硅粉料的Si组分与碳化硅原料在坩埚主体的加热下升华，经过气体通道并由开口上升至生长腔内。本发明解决了因碳化硅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116497438 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310761937.X
(22)申请日 2023.06.27
(71)申请人 北京青禾晶元半导
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