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本发明公开了一种光刻方法及系统，属于集成电路制造领域。所述光刻方法包括以下步骤：依据掩模版上掩模图形的密度，将掩模版划分为多个曝光区域，每个所述曝光区域中掩模图形的密度在预设范围以内；获取所述掩模版上掩模图形的聚焦点范围；依据所述聚焦点范围获取最佳对焦范围；以及对每个所述曝光区域进行曝光，在曝光时，依据每个所述曝光区域中所述掩模图形的密度，调节所述掩模版至透镜的位置，使所述掩模图形的聚焦点位于所述最佳对焦范围。通过本发明提供的一种光刻方法及系统，可增大疏密程度不同的掩模图形的共同工艺窗口的大小。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116500871 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310752944.3
(22)申请日 2023.06.26
(71)申请人 合肥晶合集成电路股份有限公司
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