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- 2023-07-29 发布于四川
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本申请公开了一种后段结构的制作方法，包括：形成第二刻蚀停止层，第二刻蚀停止层覆盖下电极层、电容介质层、第一刻蚀停止层和上电极暴露的表面，上电极形成于电容介质层上，电容介质层形成于下电极层上，下电极层形成于第二介质层上，第二介质层形成于阻挡层上，阻挡层形成于第一介质层上，第一介质层中形成有金属连线，电容介质层的底部的宽度大于上电极的宽度；通过光刻工艺在第二刻蚀停止层上覆盖光阻，暴露出需要刻蚀的区域；进行刻蚀，去除光阻周侧的第二刻蚀停止层和下电极层，刻蚀至第二介质层中的预定深度，剩余的下电极层构成M
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504714 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310603832.1
(22)申请日 2023.05.26
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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