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LDMOS器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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LDMOS器件及其制备方法.pdf

    本发明提供一种LDMOS器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上依次形成有埋层和外延层；形成漂移区；在外延层以及部分漂移区中形成离子注入区，所述离子注入区位于所述漂移区一侧的下半部；形成栅介质层和多晶硅栅极；形成体区，所述体区与所述离子注入区相连接；刻蚀栅介质层和多晶硅栅极以形成栅极结构；形成栅极侧墙以及形成第一重掺杂区和多个第二重掺杂区。本申请在外延层中以及部分漂移区中下区域通过离子注入形成离子注入区，离子注入区与体区相连接，辅助耗尽栅极结构下方的漂移区，降低器件加压时体区/漂移区构成的P

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504639 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310603834.0 (22)申请日 2023.05.26 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司 地址

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