1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

LDMOS器件及其制作方法.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约2.27万字
  • 约 20页
  • 2023-07-29 发布于四川
  • 举报

LDMOS器件及其制作方法.pdf

    本申请提供了一种LDMOS器件及其制作方法，该器件包括基底以及阱区结构，其中，基底包括衬底、外延层、体区、漂移区以及源区，外延层位于衬底上，体区与漂移区接触且均位于外延层中，源区位于体区中，衬底、外延层以及体区的掺杂类型相同，漂移区与源区的掺杂类型相同且与外延层的掺杂类型不同；阱区结构位于外延层中，且阱区结构位于体区以及漂移区的靠近衬底的一侧，阱区结构分别与体区、漂移区以及衬底接触，阱区结构与外延层的掺杂类型相同，且阱区结构的掺杂浓度高于外延层的掺杂浓度。阱区结构使得雪崩现象产生的空穴电流从衬底

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504836 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202210505479.9 (22)申请日 2022.05.10 (71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司 地址

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >