原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述半导体器件包括：第一晶圆，在所述第一晶圆的表面具有第一键合层、阻挡件以及位于所述阻挡件顶部的限位件，其中所述阻挡件设置在所述第一键合层外围；第二晶圆，在所述第二晶圆的表面具有与所述第一键合层相对应的第二键合层，并在所述第二晶圆内具有与所述限位件对应的限位槽；所述第一晶圆的所述第一键合层和所述第二晶圆的所述第二键合层彼此共晶键合。与传统器件相比，通过在阻挡件的基础上增加限位件及限位槽，在控制反应量的同时可以控制共晶键合过程中的键合层的滑动，减小了
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116495695 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310571575.8
(22)申请日 2023.05.17
(71)申请人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公
文档评论（0）