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ICS 23. 1608L rJB中华人民共和国机械行业标准JB/T空离子镀膜设备Vacuum ion coating plant1999-07-12发布2000-01-01实施国家机械工业局发布
JB/T言本标准由全国真空技术标准化技术委员会提出并归口。本标准起草单位:沈阳真空技术研究所。本标准主要起草人:金石、李春影、李玉英。1
中华人民共和国机械行业标准真空离子镀膜设备JB/Tacuum ion coating plant1范围本标准规定了真空离子镀膜设备的技术要求,试验方法,检验规则,标志、包装、运输和存等。多弧离子镀、电弧放电型真空离子镀、空心阴极离子镀(HCD)、射频离子镀(RFIP)、直流放电二极型(DCIP)、多阴极型、活性反应蒸发镀(ARE)、增强型ARE、低压等离子体离子镀(LFPD)、电场蒸发离子镀、感应加热离子镀、团离子束镀等。注:离了镀是在真空条件下,利用气体放电使气体或被燕发物质部分离化,在气体离子或波燕发物质离子表违作用的同时,把蒸发物或其反应物况积在基片上。2引用标准下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时,所示版本均为有效。所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB/T 6070—1995真空法兰GB/T 11164—1999真空镀膜设备通用技术条件3技术要求3.1设备正常工作条件3.1.1环境温度:10℃~30℃。3.1.2相对湿度:不大于75%3.1.3冷却水进水温度:不高于25℃。3.1.4冷却水质:城市自来水或相当质量的水。3.1.5供电电源:380V三相50Hz或220V单相50Hz(由所用电器需要而定):电压波动范围:342~399V或198~231V;频率波动范围:49~51Hzo3.1.6设备所需的压缩空气,液氮,冷水、热水等的压力、温度,消耗量等,均应在产品使用说明书中写明。3.1.7设备周围环境整洁,空气清洁,不应有引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘项或气体存在。3.2设备技术参数3.2.1设备的主要技术参数应符合表1规定。国家机械工业局1999-07-12批准2000-01-01 实施1
JB/T 8946—1999表 1分档A极限压力≤5X104≤5×10-3td抽气(时间(10°~7X10° pa)(10°7X 10° Pa)min≤20≤10升压率≤8X10-l≤2.5Pa/h3.2.2设备沉积源的工作状况应稳定、可靠、安全,并易于调节控制。3.2.3设备在正常镀膜时,工件相对真空室体一般股为负电位,真空室体接地。3.2.4沉积源、工件、真空室体,均接不同的电位。电位高低根据不同离子镀膜设备的不同种类和不同功率要求而定。3.3结构要求3.3.1设备中的真空管道、静态密封零部件(法兰、密封圈等)的结构型式,应符合GB/T6070的规定。3.3.2在低真空和高真空管道上及真空镀膜室上应安装真空测量规管,分别测量各部位的真空度。当发现电场对测量造成干扰时,应在测量口处安装电场屏数装置。3.3.3如果设备使用的主泵为散扩泵时,应在泵的进气口一侧装设油蒸汽捕集阱。3.3.4设备的镀膜室应设有观察窗,观察窗上应设有挡板装置。观察窗应能观察到沉积源的工作情况以及其他关键部位。3.3.5离子镀沉积源的设计应尽可能提高镀膜过程中的离化率,提高镀膜材料的利用率,合理匹配沉积源的功率,合理布置沉积源在真空室体的位置。3.3.6合理布置加热装置,一股加热器结构布局应使被镀工件温升均匀一致。3.3.7工件架应与真空室体绝缘,工件架的设计应使工件膜层均勾。3.3.8离子镀膜设备一般应具有工件负偏压和离子轰击电源,离子轰击电源应具有抑制非正常放电装置,维持工作稳定。3.3.9真空室接不同电位的各部分间的绝缘电阻值的大小,均按GB/T111641999中的4.4.6。3.4制造质量按 GB/T 111641999 中的 4.4。3.5安全防护按 GB/T 111641999 中的 4.5。4试验方法4.1极限压力的测定4.1.1试验条件按GB/T 11164—1999中的5.1.1中a)、b)、cd)。2
JB/T 894619994.1.2测试方法按 GB/T 11164—1999 中 5.1.2。4.2抽气时间的测定按 GB/T 11164—1999 中 5.2。4.3升压率的测定按 GB/T 11164—1999 中 5.3。5检验规则按GB/T11164—1999中的第6章。标志、包装、运输和存按GB/T11164—1999中的第7章。3
JB/T 8946—1999中华人民共和国机械行业标准真空离子镀膜设备JB/T械工
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