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GaN的MOCVD侧向外延生长研究的开题报告
一、选题背景和意义
对于GaN材料来说，侧向外延生长（Lateral Epitaxial Overgrowth，LEO）技术是其中一种重要的生长技术，它可以优化材料的结构与性能，同时减少材料的缺陷密度。然而，目前对于GaN的LEO技术研究仍处于初级阶段，需要更深入的研究，以提高材料的生长效率与质量。因此，本文计划进行GaN的MOCVD侧向外延生长的研究，探究其生长机理、生长参数等以及对于Ga黄光LED等光电器件的应用。
二、研究内容和方法
本文将采用MOCVD生长技术进行GaN的侧向外延生长，通过改变生长条件和参数，建立生长模型，探究其生长机理，聚焦于以下几个方面：
1.基础实验的开展与材料表征：通过常规的表征方法，如SEM、EDS、XRD、PL等手段，对GaN生长的质量、缺陷密度、晶格匹配等性质进行分析和表征。
2.LEO发展历程的理论分析：对于不同的外延生长方案，建立数学模型，分析侧向生长过程中产生的应力应变效应、界面结构等因素，分析不同生长方案的优劣势，寻找最佳的生长方案。
3.生长参数优化及相关器件应用：通过改变生长参数，如生长温度、外延生长面朝向和掺杂等因素，进一步提高材料的生长效率和质量，并将优化后的材料应用于Ga黄光LED等光电器件，探讨其性能表现。
三、预期成果和贡献
通过本文的研究，我们预期可以：
1.解决GaN侧向外延生长中存在的问题，提高GaN生长效率和质量。
2.深入探究GaN侧向外延生长的机理，并建立对应的生长模型，为今后的材料设计提供理论指导。
3.将优化后的GaN材料应用于光电器件，探讨其性能表现，进一步拓展其应用领域。
本文的成果将为GaN材料的生长和应用提供有用的参考和指导意义。
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