ENIG化镍金制程教育训练课程.pptxVIP

化鎳金製程教育訓練ENIG Process Training伊希特化股份有限公司Rookwood Electrochemicals Asia Ltd.內容大綱表面處理概要OMG化學鎳浸金製程特色化學鎳浸金製程概論化學鎳浸金製程流程化學鎳浸金製程管理監控前製程對化學鎳浸金製程的影響化學鎳浸金製程常見的問題簡介:表面處理概要何謂化鎳金？ (ENIG, Electroless Nickel Immersion Gold)為Metal Finish之一種，其是在被催化的銅面上沉積兩層金屬的製程。利用金低接觸電阻及不易氧化的特性，對線路提供良好的傳導及保護；鎳層則是焊錫時之焊點並提供銅金中間緩衝層，避免銅和金互相的擴散或遷移。化學鎳浸金製程概論使用化學鎳浸金製程目的焊墊表面平坦適合焊接墊面接觸導通優異具良好打線能力高溫不氧化可作為散熱表面TMRC Data化鎳金特色焊墊表面平坦適合焊接墊面之接觸導通優異具良好打線能力高溫不氧化可做為散熱之表面化鎳金製程厚度控制 Ni/P層：60~400 μ” Au 層： 1 ~ 3 μ”化鎳金產品特色是專門針對PCB使用之化學鎳硫酸鈀系列活化藥水銅離子濃度上升慢，槽液壽命長中磷系列之化學鎳產品不需做起鍍處理槽液無板量負載最低之限制化鎳槽液操作壽命可達5 個MTO藥液穩定，控制容易與綠漆搭配性良好封裝時無黑墊之情形OMG化鎳金標準流程微蝕預浸清潔酸浸水洗水洗水洗 H2SO4/H2O2 SPS/H2SO4 PP-100/H2SO4 H2SO4 H2SO4 9023 9023SFAC-18活化酸浸化學鎳水洗水洗 9025M 9025LP H2SO4 9026M水洗後處理（清洗烘乾）浸金水洗 9027 9027SGCuCu Pd Pd 化鎳金反應示意圖I Pd2+Ni-PCuCu Cu2+Ni-P沉積Ni-P成長化學鎳活化CuCu Ni-P Ni-P化鎳金反應示意圖II Au+ Au+Au Ni2+Au 沉積化鎳金層藥液特性及操作條件Acid Cleaner(酸性清潔) AC-18作用去除銅面上指紋、油漬及氧化物降低槽液表面張力，以達更好之潤濕效果不傷害綠漆及乾膜操作條件濃度：10±5 %溫度：40±5 ℃浸泡時間：4±1 min當槽頻率：300 BSF/GalMicro-Etch(微蝕)作用可使用H2SO4/H2O2或SPS系列去除銅面氧化物使銅面微粗化，使化學鎳有良好的附著能力微蝕量控制在30-100μ”左右不同微蝕劑對金面外觀光亮程度表現Acid Dip H2O2 PP-100 SPSH2SO4/H2O2與SPS微蝕系列比較酸浸 H2SO4作用去除板面上之銅鹽操作條件濃度：2-6 %溫度：R.T.浸泡時間：1 min當槽頻率：100 BSF/Gal or 0.2 g/l CuPre-Dip(預浸) H2SO4作用去除板面上之金屬氧化物當作犧牲溶液，避免活化槽受到污染，並維持其酸度。操作條件濃度：2-5 %溫度：R.T.浸泡時間：1 min當槽頻率：100 BSF/Gal or 0.2 g/l CuActivator(活化) 9025M特色使用硫酸鈀，不含氯離子槽液壽命長可在室溫下操作穩定性高作用在銅面上行置換反應，沉積一層鈀，作為化學鎳反應之催化劑。反應機構 陽極Cu → Cu2+ + 2e- (E0 = -0.34 V) 陰極Pd2+ + 2e- → Pd (E0 = 0.98 V) 全反應Cu + Pd2+ → Cu2+ + Pd操作條件配槽：9025MA：2.5%9025MB：20%濃度控點：鈀強度：50±20 ppm酸值：20±2 %溫度：15±30 ℃浸泡時間：45±15 sec當槽頻率：3 MTO or 0.15 g/l CuAcid-Dip(後浸) H2SO4作用去除板面上之多餘的鈀離子操作條件濃度：8-12 %溫度：R.T.浸泡時間：1 min當槽頻率：100 BSF/Gal or 0.2 g/l Cu E’less Ni(化鎳) 9026M特色槽液操作壽命可達 5 個MTO不需做起鍍處理鎳層平均沈積速率 0.22 microns/min槽液無板量負載最低之限制，就算板負載量為 0.1 ft2/gal ,沈積速率仍為0.22 microns/min只需兩劑等比例添加就可穩定控制鎳離子濃度及pH值作用以氧化還原法於銅面上沉積一層鎳。各成份及其作用如下：硫酸鎳：提供鎳離子次磷酸鈉：當作還原劑，使鎳離子還原為金屬鎳錯合劑：降低槽液中自由鎳離子的濃度避免鎳鹽或亞磷酸鹽的沉澱當作pH緩衝劑安定劑：穩定槽液，避免析出。反應機構陽極 H2PO2-+H2O → H2PO3-+ 2H++ 2e- 陰極 Ni2++ 2e- → Ni 2H++ 2e- → H2↑ H2PO2-+