在硅表面上大面积石墨烯的制备方法.pdfVIP

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2023-08-02 发布于四川
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在硅表面上大面积石墨烯的制备方法.pdf

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本发明提供一种在硅表面上大面积石墨烯的制备方法，包括以下步骤：将清洗后的硅衬底安装在具有快速退火功能的设备中，在硅衬底上形成3C‑SiC单晶种子层；在3C‑SiC单晶种子层上基于LPCVD法，在3C‑SiC单晶种子层上生长3C‑SiC加厚层；对3C‑SiC加厚层刻蚀，得到台阶状的3C‑SiC刻蚀层；将台阶状的3C‑SiC刻蚀层进行高温热分解，在3C‑SiC刻蚀层的表面生长一层石墨烯。由于硅衬底有多种规格，可以在大尺寸的硅衬底上首先生长一层致密的3C‑SiC单晶种子层，然后在其上继续同质外延生长一

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116514112 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310686745.7 (22)申请日 2023.06.09 (71)申请人中电科先进材料技