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MOS晶体管工作原理 2第一章MOS晶体管工作原理 1-1 MOS晶体管的结构特点和基本原理1-2 MOS晶体管的阈值电压分析1-3 MOS晶体管的电流方程1-4 MOS晶体管的瞬态特性补充:1-5 MOS晶体管的其它电学参数1 31-1-1??MOS晶体管的基本结构MOS晶体管: 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 MOSFET基本结构:栅,源区 ,漏区,沟道区主要结构参数:沟道长度L沟道宽度W 栅氧化层厚度tox源漏区结深 Xj MOS晶体管4 51-1-2 MOS管基本工作原理 工作原理--栅压控制器件 Vgs=0,截止0 Vgs V t,截止(沟道表面耗尽、弱反型)Vgs V t 开启 情况1:Vds=0 情况2: Vds0 转移特性曲线 (漏级电流,栅压,漏压,阈值电压)输出特性曲线(I-V曲线)截止区,线性区,饱和区,击穿区问题:为什么MOS晶体管也叫单极晶体管？ 三维能带图6 71-1-3 MOS晶体管的分类 按导电类型:NMOS管: N沟道 MOS晶体管PMOS管: P沟道 MOS晶体管按工作机制分:增强型器件:(也叫常截止器件)耗尽型器件:(也叫常导通器件)图1-1-7 8分类 91-1-4 MOS晶体管的结构特点p 结构简单面积小-------便于集成输入阻抗特别高-------级间能够直截了当耦合源漏对称-------------电路设计灵活有效工作区集中在表面,和衬底隔离 10第一章MOS晶体管工作原理 1-1 MOS晶体管的结构特点和基本原理1-2 MOS晶体管的阈值电压分析1-3 MOS晶体管的电流方程1-4 MOS晶体管的瞬态特性 111-2 MOS管的阈值电压分析 阈值电压定义:使沟道区源端半导体表面达到强反型所需要的栅压。(形成表面沟道所需要的最小电压。)阈值电压V t:决定MOS管状态的关键。Vgs V t :截止态;Vgs V t:导通态。 121-2-1 影响阈值电压的因素 定义:V t= Vgs |表面强反型时表达式:V t= V FB+2фF-QBm/Cox 电压降在平带电压,强反型电压,耗尽层压降 计算:将公式1-1-3到1-2-8代入上式 13VB= 14影响V t的基本因素1,材料:金属类型фMS ,氧化层中的电荷QOX半导体沟道区掺杂浓度NA半导体材料参数 ni ; εi 2,氧化层厚度:越厚则阈值电压越大3,温度:温度上升,阈值电压下降4,和器件的横向尺寸无关**调整考虑:降低。以便降低芯片耗电。控制器件类型平衡对偶器管子(CMOS) 151-2-2 体效应对阈值电压的影响体效应: 源区和衬底电压Vbs不是0时,产生体效应。例如: NMOS管Vbs 0 → 源区和漏区PN结反偏 → QBm 增加 → 阈值电压增加计算: 16体效应公式 理论结果1,Vbs增加,则阈值电压增加2,衬底浓度增加,则阈值电压增加实验结果: 171-2-3 离子注入调节阈值电压1,增强型器件需要提高阈值电压方法一:提高衬底杂质浓度。高的阈值电压用高的衬底掺杂可完成,但代价是击穿电压低、结电容大、体校应系数大。方法二:仅提高沟道区杂质浓度。在沟道区域注入和衬底相同类型的杂质,用离子注入方法制造局部的高浓度,可增加阈值电压。方法3:增加氧化层厚度,有源区不用。2,耗尽型器件需要降低或相反的阈值电压方法:在沟道区域掺杂,离子注入和衬底相反类型的杂质,以便形成原始沟道。 181-2-4 短、窄沟道效应对阈值电压的影响1短沟道效应现象:图1-2-5, L方向,源漏耗尽区横向扩展使有效的L下降。分析: L下降--耗尽层体积减小--使栅压控制的耗尽层电荷减少--使阈值电压降低公式:1-2-29计算结果:图1-2-6 191-2-4 短、窄沟道效应对阈值电压的影响2窄沟道效应现象:图1-1-7, W方向,电场的边缘效应使W增加分析: W增加--耗尽层体积增加--使栅压控制的耗尽层电荷增加--使阈值电压增加公式:1-2-30 其它场区注入使Vt增加漏感应势垒降低效应使Vt下降综合公式:1-2-31 20第一章MOS晶体管工作原理 1-1 MOS晶体管的结构特点和基本原理1-2 MOS晶体管的阈值电压分析1-3 MOS晶体管的电流方程1-4 MOS晶体管的瞬态特性 211-3-1 四端器件的完整电流方程四端器件图 (1-3-1)2维电场 (1-3-2)推导近似方程推导和结果(式1-3-7)导电因子(式1-3-8)沟道区夹断现象(图1-3-3) 22四端MOS器件 231-3-2 简单电流方程2非饱和区:1、3、12和1、3、8; 饱和区:1、3、14; ID=常数漏饱和电压(夹断电压): 1、3、15饱和条件:VDS =VDSAT