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本发明提供能够削减工艺的运行成本的蚀刻控制方法和蚀刻控制系统。蚀刻控制方法包括步骤a、步骤b和步骤c。在步骤a中,收集形状数据,形状数据包含在环组件的表面的多个位置测量出的环组件的高度的信息,环组件以包围用于载置基片的载置台上的区域的方式配置。在步骤b中,使用表示预先收集到的形状数据与控制量之间的关系的关系模型,根据步骤a中收集到的形状数据来确定控制量,其中,控制量能够控制环组件的附近的鞘分布,以使得通过等离子体蚀刻而形成于基片的凹部的倾斜的角度成为容许范围内的角度。在步骤c中,通过应用确定出的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116525393 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310094493.9
(22)申请日 2023.01.31
(30)优先权数据
2022-013324 202
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