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- 2023-08-02 发布于四川
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用于生产在制造半导体部件的等离子体蚀刻室内使用的装置的方法,所述方法包括提供形成所述装置的基材的主体,在所述主体的表面上施加第一涂层,其中所述第一涂层包含金属和/或金属合金薄膜涂层以形成金属涂布的主体,在所述金属涂布的主体上施加第二涂层,其中所述第二涂层包含陶瓷涂层,其中所述第二涂层与所述第一涂层至少部分重叠。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116529415 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202180081950.X (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公
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