2022-2023学年高二物理竞赛课件：多重束缚激子.pptxVIP

多重束缚激子 多重束缚激子间隙半导体CB：多谷；VB顶:简并.BEC跃迁过程角动量守恒不成立。 ●零声子辐射线对应于多重束缚激子复合物中m个e-h对向m-1个 e-h对跃迁过程.●多重束缚激子复合物中e-h对越多, 辐射衰减越快.5.反射谱为了避免BEC之间相互作用(造成谱线加宽),点缺陷密度必须很低（ ）. 这样, 点缺陷对折射率的调整太小, 因此BEC在反射谱极少观察到. 15.2施主-受主对 相关跃迁1. 施主-受主对发光谱根据能量守恒,可得 随着泵浦强度的增加, 施主-受主对增加,它们之间的平均距离立值)减小, 施主-受主复合发光频率兰移,这是施主-受主复合的显著特征.(在晶体中取分2.自由载流子向束缚载流子跃迁CBVBeh 15.3禁带内跃迁(宽带半导体CdS,ZnO,ZnSe)1. 禁带内缺陷态之间跃迁, 增加,这种跃迁明显增强. 2. 内深中心起着复合中心的作用,减小发光效率. 3.发光谱 15.4无序系统中激子1.态密度 局域态密度 尾参数 对应一种半导体材料.关于 不对称.越大,局域态密度越大, 激子局域的几率越大.2.吸收谱区域Ⅰ：混晶或非晶半导体中杂质产生.区域Ⅱ:局域态激子.区域Ⅲ:扩展态激子,