SJ_T 2658.2-2015半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压.pdf

ICS 31.080L 53备案号：52029-2015SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2658.2—2015代替SJ/T2658.2—1986半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode—Part 2: Forward voltage2015-10-10发布2016-04-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T2658.2—2015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；第2部分：正向电压；-第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；第5部分：串联电阻FORM第6部分：辐射功RYLAT通量第7部分：辐泉TION第8部分：射强度-第9部分厦射S第10部调制带宽1TECHNOL第11部响应时间分第12A峰值发身和光谱辐射带宽；a第13部分福射功率温度系数第14部分：结温；第15部分热阻；第16部光电转换3分部分为S/958的第2部本部分按照GB2009《标准化二作导则第1部分：标准的结构和编给出的规则起草。本部分代替SJ/T-1986《半导体红外发光二极管测试方法正向压隆测试方法》，除编辑性修改外主要技术变化如修改了测量原理图中的恒流源符号（见图1）；-细化了正向电压的测量步骤（见5.2）；RD补充了正向电压测量时应规定的条件（见5.3）请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：SJ/T2658.2—1986。T SJ/T2658.2—2015半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）正向电压的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3. 1正向电压forward voltageVF通过器件的正向电流为规定值时，在其两极间产生的电压降。4一般要求测量正向电压的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5测量方法5.1测量原理图正向电压的测量原理图见图1。 SJ/T 2658.2—20151DUT说明：DUT-被测器件；G恒流源；AVINDUSTRY电流表；AIATIONV电压表。图三向电压测量原理图TECH5.2测量步骤量胺下列步骤正向电压的测接测量系统，按图1连a)授进行仪器预热的正向电压值。b)调节恒流使正向电流I为规定值，读源，直流电压表示数得到被测器件NOLOE规定条件5.3应规定以不条件有关标准采用-本可2O环境温度a)INIWb)正向电流DARDSSTAN2 8中华人民共和国电子行业标准半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压SJ/T 2658.2—2015*中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：*1开本：880×12301/16印张：字数：12千字22015年12月第一版2015年12月第一次印刷印数：200册定价：20.00元版权专有不得翻印举报电话：（010）664102613