光电子物理基础 第六章 集成光学.pptxVIP

第六章 集成光学6.1 集成光学的光传播理论1.消逝场：介质波导中，场要穿入光约束层内一定深度2.光波导结构n2n3n1 界面全反射，锯齿波z向传播,分解为两个分量,相位常数分别为β、γ, k02 n2 =β2+γ2 3.相位突变界面全反射时，反射波要产生相位突变对TE波对TM波其中p、q为消逝系数反射波发生相位突变的物理意义全反射时，光穿入约束层内一定厚度，导致反射波与入射波相位的不连续古斯-汉兴位移：反射光横向移动了距离光线穿入介质层1中的厚度穿入介质层3中的深度为1/p, 波导的有效厚度3.相位常数γ的波横向传播，形成驻波，建立横向共振条件 即 m是导波的模阶数，不同的m，对应一系列的β。该方程称为模式方程（特征方程、本征值方程）4.对称波导，非对称波导，强非对称波导5. 波导中光波的传播，对于TE波，解波动方程 解的形式 Y方向，波不受约束，场与 y无关 得到方程组 区域1 区域2 区域3 边界条件：Σ(x)和 在1-2，2-3界面处连续 讨论1. β k0n2，三个区域内， Σ(x)为指数函数，没意义。2. k0n2β(k0n3,k0n1),区域1，3内Σ(x) 为指数函数，2内为正弦函数。能量被限制在层2内，称为束缚模或导模。3. k0n3βk0n1，区域1内Σ(x)为指数函数，2，3内为正弦函数。称为衬底辐射模。4. (k0n3, k0n2 , k0n1) β,三个区域内， Σ(x)为正弦函数，称为波导辐射模。结论：导模存在的条件：k0n2β(k0n3,k0n1)利用边界条件解得其中区域1，3中场是指数衰减的，衰减的快慢分别由q、p决定， q、p值越大，衰减越快，穿透深度越小。同时得到这与（6.1.1）模式方程是一致的。6.截止条件 对于厚2w的对称波导 波导层2中，随着θ的增加， β值减小，直到β=k0n3 ，界面2-3不再产生全反射，此时就是导波截止条件。 ? ? ? ? ? ? 厚度2w的对称波导传导m阶导模的必要条件： 由波导中场分布图比较可知(图6-4，6-5）：厚度2w的对称波导 m=2M+1阶导模场分布沿x中心分一半，与厚度w的非对称波导M阶导模场分布近似相同 ?厚度w的非对称波导中传播M阶导模的截止条件与厚度2w的对称波导中传播 m=2M+1阶导模的截止条件相同 ?厚度w的非对称波导中传播M阶导模的截止条件 *Δn~λ; Δn~w; Δn~M6.2 薄膜器件原理6.2.2 薄膜激光器 薄膜激光器要求：效率高，功耗低；性能；激励简单；容易耦合。 激励方式：电激励，光激励 受激发射时的活性物质：染料、固体：Nd3+离子、半导体：GaAs GaxAl1-xAs 光反馈：解理面、分布反馈、周期结构1.半导体激光器的基础知识 半导体的能带结构（a) 费米-狄拉克统计分布：热平衡下，一个电子占据一个能量为E的能级的几率： 半导体加正向电压 时的能带结构(b)势垒降低，导电性增加半导体激光器中，要求高掺杂，费米能级进入价(导)带内部。加正向电压时，势垒降低为e(Vd-V)费米能级分离eV=EFn-EFp当EFn-EFpEg,,即导带能级为电子占据的几率大于价带能级为电子占据的几率。粒子数反转条件。导带中的电子向下跃迁到价带，与价带中的空穴复合产生受激辐射。 半导体激光器的解理面反馈 同质结；异质结；双异质结2.双异质结半导体激光器3.生长台面型激光器 图6-8中6:p-GaAs 5:p-AlxGa1-xAs 4:p-GaAs 3:n- AlxGa1-xAs 2:外部波导 1:光约束层4.分布反馈技术 布拉格反射 分布反射光栅中 得到 光栅周期一定时，只有该式确定的特定波长的光才能受到强烈的反射 m=1，一级光栅 m=3，三级光栅* 解理面反馈激光器中，发射光谱多个峰值 分布反馈激光器中，一个峰，可选纵模λ? Λ1)集成DFB(分布反馈)激光器 a.P型杂质扩散或注入n- Ga1-xAlxAs的局部区域内，形成层p- Ga1-xAlxAs ，从而构成p-n结 b.正向大电流注入→有源区光放大，再经过分布反馈结构光反射(?100%) →产生激光直接耦合入n- Ga1-yAlyAs波导层中传播。 有晶格缺陷，形成复合中心，增加损耗2)集成DBR(分布布拉格反射式)激光器 光栅不在反转区，而是做在有源区外面的波导层上。光栅被分成两部分，分别处于有源区两端。6.2.3 薄膜耦合器 内耦合：波导?波导 外耦合：输入输出波导 要求：耦合效率；集成化1.内耦合类型及其应用 a.尖劈薄膜耦合器 结构 原理：导波沿锯齿路径到尖劈区域，每一次反射的入射角比上一次减小，若干次后，入射角小于全反射角，形成基底模（衬底辐射膜）从衬底输出。 b.波导定向耦合器 平行放置，间隙小，消逝