离子源的功能和分类.docx

离子源的功能和原理 3、离子辅助镀膜的薄膜特性: 1、镀层与工件表面同时存在物理气相沉积及化学反应，故镀层结合力高。 2、膜层均匀致密、韧性好; 3、光谱特性稳定，温漂小4、吸水性减少5、折射率升高6、粗糙度降低7、激光阈值降低8、膜层发雾，光散射增加 4、离子源参数、性能比较 离子 源 离子束 参数范陶 机理 工作 气体 工作特点 价格 缺点 考夫 星源 100-l000ev 20-40 u a/cmJ 热阴极辉 光故电产 生等高子， 静电加速 A『 Oi L离子能量，束密 可精砺控制L不 受环境影响。2- 污染较小，3『工 件温升低.可昨 镀-4 .放汽量小n 5可以用较高能 量镀制金属膜U 等在有空上氛 中可原真室加 使用反应气体氧 需定期换灯她堤 阳极定期维护。 霍尔 源 50-I50ev离于能 量 100-KXfflma 离子 （阳报电压 80-180v 阴拔电流l-10a） 热阴极辉 光放电等 高子怵.磁 场加速 A『 J 】，离子能量发 散，离子束发散 有较大均匀区。 2.离子能量低， 束密较大，3.结 构简单拆卸方 使，所需电西数 量少。 氐在有空上赛 倒可原真室加 ].污染较为严 重 离子能量低 基片受离子 源灯蛭烘烤 升温高.不能 电于冷镀 工作参数由 于无栅要受 环境影响，不 易稳定 气耗较大 频 射源 50-1200 ev 100-1000 ma 均匀区］m 射频感胸 产生等离 子体「静电 加速离子 A『 6 1，无极放电『寿 命长，工作长时 间稳定2,均匀区 大3,离于能量及 束密可以精确控 制4,污染小3, 离子能量及束密 昂贵 需要 自动 匹配 的电 源.X 气耗较大,石英 放电室定期更换 GIS 源 50-100 ev, 离子流2A-5A 束流密度 200-500 u a/cm2 放电电压 50-LOOv 放电电流10-60 A 均匀区】m 阳槌 层离 子源 150-600 ev.束流 023也放电电压 250-lOOOv,放电 电流L-8a.线性 均匀区30-90ciii 热阴极瓣 光放电产 生等离子 休，磁场加 速反等离 子休崭层 加速U 冷阴极磁 控电弧，阳 槌层磁场 加速 精心整理 空室 需予 置接 昂贵 真空 室需 F置 接口 L徂6阴极材料 贵且污染大。 %空内是成 校需真室F法接 L气耗大 2,阴极有烧蚀 腐蚀，会带来 污染 】，大功率强流离 子源-2,大均匀 区-3,用于LaB6 作阴披寿命长， 「作稽定 功率较大.离子 流大，线性均匀 区大，匚作真空 10 Pa.与磁控滋 射相容 较大且变化范围 大，可以产生零 源科薄膜 离子源简介-考夫曼离子源 阴极钨丝加热发射热电子；电子与气体原子或分子碰撞；气体电离在放电室形成等离子体； 多孔栅极产生加速电场； 离子被加速电场引出、加速、获得能量；中和鸨丝产生电子;磁场对电子运动进行约束，增加离化率；中和电子对引出离子中和形成等离子体。 考夫曼离子源工作原理 (Kaufman Ion Source) 离子源简介-考夫曼离子源 优点： 栅极加速能量大 离子可聚束能量调节范围宽结构较为简单 缺点： x离子源结构仍复杂乂馈入氧、氮等反应气体阴极中毒 X更换阴极灯丝困难X不属主流，较少采用 离子源简介-射频离子源射频离子源工作原理射频放电将气体电离在放电室形成等离子体 多孔栅极产生加速电场；中和钨丝产生电子； 离子被加速电场引出、加速、获得能量； 中和电子对引出离子中和形成等离子体。离子源简介-射频离子源特点 优点：栅极加速能量大离子可聚束能量调节范围宽适用反应气体离子束辅助主流缺点： X结构复杂，稳定性差X价格昂贵X栅极需经常维护X辐照均匀区较小离子源简介-霍耳离子源 阴极钨丝发射热电子向阳极迁移电子与气体原子碰撞使其离化磁场中电子形成霍耳电流产生电场 离子被霍耳电场加速引出、加速 阴极热电子对引出离子中和形成等离子体。 霍耳离子源工作原理 (Hall Ion Source) 离子源简介-霍耳离子源特点 优点： PowerIon-C-10A 典型参数离子束流：5 A 离子能量：20-50 eV 无栅极、结构简单、维护简单 适用反应气体离子束辅助主流产品离子束流大易于控制等离子体中性以低能大束流工作 缺点： 乂能量较低、调节范围较小X存在较小污染 离子源简介- Veeco霍耳离子源技术指标 离子源简介- Powerion系列霍耳离子源技术指标 离子源简介-霍耳离子源 空心阴极型霍耳离子源 空心阴极替代灯丝发射热电子有效降低离子源污染 离子源简介- APS源工作原理 工作原理与霍耳离子源类似 La6B阴极发射热电子向阳极迁移(3) 电子与原子碰撞使其离化磁场中电子形成霍耳电流产生电场(2) 离子被霍耳电流产生电场