1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种基于SRAM位线同或的电压累加存内计算电路.pdfVIP

  • 7
  • 0
  • 约1.35万字
  • 约 13页
  • 2023-08-05 发布于四川
  • 举报

一种基于SRAM位线同或的电压累加存内计算电路.pdf

    本发明涉及一种基于SRAM位线同或的电压累加存内计算电路。该电压累加存内计算电路包括：所述同或模式下的读字线驱动器模块通过读字线与所述存储运算单元相连接；所述存储模式下的行译码器模块通过写字线与所述存储运算单元相连接；所述存储模式下的写位线驱动和列译码模块通过写位线与所述存储运算单元相连接；每个所述存储运算单元内的读位线均与一个所述模拟数字转换器直连；通过对所述存储阵列模块中的各条读位线电压的按位三元同或门结果进行模拟累积，并使用所述模拟数字转换器将读位线电压数字化输出。本发明能够缩短输出电压的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111816234 A (43)申请公布日 2020.10.23 (21)申请号 202010749712.9 (22)申请日 2020.07.30 (71)申请人 中科院微电子研究所南京智能技术

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >