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- 2023-08-05 发布于四川
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本发明提供的一种闪存存储器及其制造方法、操作方法，闪存存储器包括至少两个间隔设置的闪存单元组，闪存单元组中位于连接区的相邻字线之间设有横跨相邻字线间区域的第一控制栅，从而使相邻字线间用于电连接的控制栅无间距，且在闪存单元组的连接区中，位于边缘字线外侧的第二控制栅沿垂直于字线的延伸方向并远离第一控制栅的端部至少部分突出第一侧墙，以提高闪存存储器的集成度。在编程操作时，对其中之一的闪存单元编程时，对第一控制栅两侧的字线其中之一施加小于零的电压，以减小编程过程中的干扰，在擦除操作时，对同一闪存单元组内
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111725214 A
(43)申请公布日 2020.09.29
(21)申请号 202010754242.5
(22)申请日 2020.07.30
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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