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- 2023-08-06 发布于四川
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本公开提供一种半导体互连结构。半导体互连结构包括:第一半导体结构,上表面为第一介质层,第一介质层包括第一导电结构;第二半导体结构,键合于第一介质层,上表面为第二介质层;第二导电结构,位于第二介质层;第三导电结构,位于第二介质层的上表面;第四导电结构,下表面连接于第二导电结构,上表面连接于第三导电结构;第五导电结构,经过第一介质层和第二半导体结构,下表面连接于第一导电结构,上表面连接于第三导电结构;其中,第三导电结构、第四导电结构和第五导电结构通过同一次导电材料填充制程形成。本公开提供的半导体互连
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210015847 U
(45)授权公告日
2020.02.04
(21)申请号 20192
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