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半导体物理学 ;;; 在电场作用下,半导体表面附近电场、电势、电荷分布随x的变化。
求表面(x=0)处电场、表面电势、表面电荷大小。
半导体一侧接地,电势为零;;;;一、空间电荷层及表面势;取x轴垂直表面指向半导体内部,半导体表面为x=0,
样品表面线度比空间电荷层厚度大,表面可看成无限大的面,电荷密度、场强和电势不随y、z而变,一维情况来处理;
半导体内部电势为零.;载流子符合玻尔兹曼统计情况,电势为V的x点电子浓度和空穴浓度为 :;泊松方程变为:;因为:;当V大于零时取正号(沿x方向),小于零时取负号(沿-x方向) 。
表面处V=Vs,
半导体表面处电场强度: ;微分电容:表面空间电荷层的电荷密度随表面势变化,相当于一个微分电容效应 ;得出表面电场、表面电荷、表面微分电容与表面电势的关系,;二、表面空间电荷层的电场、电势和电容;二、表面空间电荷层的电场、电势和电容;;Cs取Vs趋于零的极限值,当Vs很小且趋于零时:;Vs趋近于零时:
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