半导体物理学（第8版）课件 6.4pn结击穿.pptx

半导体物理学 半导体物理学 BAN DAO TI WU LI XUE pn结击穿 雪崩击穿和隧道击穿称为电击穿。电击穿是一个可逆过程。热击穿是破坏性的，不可逆的。击穿机制：pn结击穿当pn结反向电压超过某个特定值后，反向电流会突然急速增大，这一现象叫pn结击穿，发生击穿时的反向偏压称为pn结的击穿电压。（1）雪崩击穿，这是大部分pn结的击穿机制；（2）隧道击穿，高掺杂pn结的击穿机制；（3）热击穿，由于热损耗而引起的击穿。击穿的原因是因为在一定条件下，pn结内部产生了额外的载流子。 在强电场的作用下，高速运动的载流子与晶格原子碰撞，从而产生电子-空穴对的现象称为碰撞电离。载流子碰撞电离的能力用电离率ɑ来描述，电离率表示一个载流子在电场的作用下漂移单位距离时所产生的电子-空穴对的数目。雪崩击穿(1)（一）碰撞电离与雪崩倍增碰撞电离产生的载流子以及原有的载流子，在强电场的作用下重新获得足够高能量，继续通过碰撞再次产生电子-空穴对，载流子的这种增加过程称为倍增，持续的倍增称为雪崩倍增。雪崩倍增会导致载流子数目急剧增加。发生雪崩倍增的条件：1）电场足够强，使载流子在两次散射之间从电场获得的能量大到产生碰撞电离；2）高电场区要有一定的宽度。当外加反向偏压增加时，pn结势垒区的电场增强，宽度增大，当反向电压增加到某一值时，就会发生雪崩倍增，从而在势垒区产生大量的载流子，使反向电流迅速增大，pn结发生雪崩击穿。 未击穿时载流子在势垒区的运动图像击穿时载流子在势垒区的运动图像雪崩击穿是载流子碰撞电离引起倍增的结果 雪崩击穿(2)（二）碰撞电离率载流子碰撞电离的能力用电离率来描述。电离率表示一个载流子在电场的作用下漂移单位距离时所产生的电子-空穴对的数目。电子的电离率ɑn和空穴的电离率ɑp都是电场的函数。（三）雪崩倍增因子M??或式中Ai、bi、m和Ci为常数M定义为雪崩倍增时的反向电流与未倍增时的反向电流之比发生雪崩击穿时，M →∞。因此，雪崩击穿的条件可表示为?的反向偏压就是pn结的雪崩击穿电压，此积分称为电离积分。 雪崩击穿(3)（四）雪崩击穿电压雪崩击穿电压：与掺杂浓度有关，掺杂浓度越高，击穿电压越低；与禁带宽度有关。掺杂浓度相同时，禁带宽度越大，击穿电压越高，这是因为雪崩击穿过程需要带间激发。随温度升高而增大。因为温度升高时，晶格散射增加，载流子平均自由程减小，需要更强的电场产生获得碰撞电离所需的能量。计算电离积分，可得pn结的雪崩电压硅pn结： 隧道击穿（齐纳击穿）(1)隧道击穿是在强电场的作用下，由量子力学的隧道效应，使大量电子从价带激发到导带引起的电击穿。通常p区价带电子必需具有能量Eg才能从点A跃迁到导带中的C点，然后漂移到B点。根据量子理论，只要A与B之间的距离???足够小，能量小于Eg的电子也有可能从A隧穿到达B点，隧穿的几率为?pn结的三角形势垒因此，势垒区的电场?愈强，???愈小，隧穿的几率愈大。 隧道击穿(2)因为???=????∕???，所以在耗尽区最大电场处， ???达到最小值。??耗尽区最大电场因而两边高掺杂的pn结，在反向电压比较低时，就能够发生隧道击穿，此时p区价带上的电子将通过隧道效应流入n区，导致反向电流急剧增加。因为禁带宽度随温度升高而降低，因而隧道击穿的温度系数是负的。