半导体物理学（第8版）课件 4.4电阻率及其与杂质浓度和温度的关系.pptx

半导体物理学 半导体物理学 BAN DAO TI WU LI XUE 迁移率和载流子浓度均与杂质浓度和温度有关，所以，半导体电阻率随杂质浓度和温度变化。 300K，本征硅电阻率：2.3×105Ω·cm， 本征锗：47 Ω·cm a.轻掺杂（N：1016－1018/cm3） 室温下，杂质全部电离，迁移率随杂质浓度变化不大，所以，杂质浓度升高，电阻率下降； b.杂质浓度大于1019/cm3，曲线严重偏离直线，其原因： 1）杂质在室温下不能全部电离； 2）迁移率随杂质浓度升高而下降； 由此图可以查杂质浓度对应的电阻率 电阻率由ni决定，T升高，ni升高很快，而迁移率只是稍微下降，变化不大，所以最终结果：温度升高，电阻率减小，负温度系数。