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半导体物理学 半导体物理学 BAN DAO TI WU LI XUE
载流子的扩散运动
例:用适当波长的光,均匀照射材料的一面,表面薄层光被大部分吸收,在表面薄层内产生非平衡载流子,内部非平衡载流子少,产生扩散1.定义 当半导体内的载流子分布不均匀时,会出现载流子由高浓度处向低浓度处的扩散,由于扩散运动而形成的净电荷流动将形成电流,称为扩散电流。一、扩散运动光照
2.扩散定律对于均匀半导体,平衡状态下载流子分布处处均匀,所以载流子的扩散运动其实就是非平衡载流子扩散运动。一维情况:扩散流密度Sp:单位时间通过单位面积(垂直于x轴)的粒子数,单位:1/cm2s实验发现:扩散流密度正比浓度梯度对于空穴:Dp为空穴扩散系数,单位是cm2/s,负号表示由高浓度向低浓度扩散,为扩散定律。对于电子同样有:Dn为电子扩散系数
1.稳定扩散用恒定光照n型样品,表面非平衡少子浓度将保持恒定(Δp)0,由表面注入空穴,不断向样品内部扩散,并不断复合消失,由于半导体表面有稳定的注入,半导体内部各点非平衡少数载流子分布不随时间变化,形成稳定分布Δp(x) 。二、稳态扩散方程
2.稳态扩散方程一维:A,B为单位面积的两个平面单位时间流过A面的空穴数:Sp(x)单位时间流过B面的空穴数:Sp(x+Δx)二、稳态扩散方程流过体积1×Δx后载流子减少,即在Δx内复合的空穴数单位时间Δx体积复合掉的空穴数=Sp(x) - Sp(x+Δx)光照ABx+Δxx
2.稳态扩散方程普遍解为:一维稳态扩散方程单位时间Δx体积复合掉的空穴数=Sp(x )-Sp(x+Δx )=复合率×Δx×1 = 复合率:单位时间单位体积复合的电子空穴数其中 :扩散长度扩散系数少子寿命单位:cm2/s单位:cm
讨论非平衡载流子由表面向内部按指数衰减,其中Lp为非平衡载流子深入样品的平均距--扩散长度:扩散长度 由扩散系数和载流子寿命决定,若测出扩散长度,已知扩散系数,可以得到τ 表面空穴流密度 ,如同表面的空穴以 的速度向内运动。Δp(x) 0 x 则:1.样品足够厚
2.样品厚度为W在样品的另一端 处,设法将非平衡载流子全部引出,即非平衡少数载流子被强制为零Δp(x) 0 x W 得:代人得:
非平衡载流子呈线性分布,其浓度梯度为:扩散流密度为:--常数扩散流为常数,这意味着非平衡载流子在样品中没有复合。在晶体管中,若基区宽度远小于扩散长度,非平衡载流子通过基区时基本上来不及复合,非平衡载流子的分布满足上述分布。
3.电子的一维稳态扩散方程4. 扩散电流密度5.三维情形三维方程,求出
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