半导体物理学（第8版）课件 6.2pn结电流电压特性.pptx

半导体物理学 半导体物理学 BAN DAO TI WU LI XUE pn结电流电压特性 6.2.1 非平衡状态下的pn结在pn结两端有外加电压V时，pn结处于非平衡态。6.2 pn结电流电压特性V降落在此忽略中性区压降忽略中性区压降欧姆接触欧姆接触准中性区准中性区假设外加偏压V全部降落在耗尽层上（准中性区近似）。p区接电源正极（V0）称pn结正向偏置，接电源负极（V0）称pn结反向偏置。结论因此，有外加偏压时，耗尽区两端电位差为 外加偏压下，pn结势垒的变化及载流子的运动(1)外加偏压下，pn结的势垒高度变为??(???????)，随外加偏压变化。热平衡（V=0）正向偏压使势垒高度降低，从而使n区的电子和p区的空穴可以越过势垒注入到对方，此现象称为pn结的正向注入效应。注入p区的电子和注入n区的空穴都是非平衡少子，以扩散方式运动，即在边界附近积累形成梯度，并向远离结的区域扩散，边扩散边复合，达到一定深度后基本消失。 外加偏压下，pn结势垒的变化及载流子的运动(2)外加偏压下，pn结的势垒高度变为??(???????)，随外加偏压变化。反向偏置使势垒高度增加，使n区的电子和p区的空穴更不容易越过势垒。但p区的电子更容易向n区运动，n区的空穴更容易向p区运动，这种现象称为pn结反向抽取效应。总之，不管是正向还是反向偏压，都会使准中性区的少子数量偏离平衡值，使电子和空穴不再有统一的费米能级。在反向偏置下，耗尽层的作用像一个少子“抽取器”, 它从附近的准中性区域抽取少数载流子。 正向偏置降低了势垒，允许大量多数载流子注入，因此正向偏置时，pn结能够提供一个大电流；反向偏置提高了势垒，切断了多数载流子的注入，虽然此时少子依然可以进入耗尽区，但少子数目很小，因而形成的电流很小。结论通过外加偏压来调节pn结的势垒高度，以控制载流子的流动。 6.2.2 理想pn结的电流电压方程理想pn结：小注入条件：注入的少数载流子浓度小于平衡多子浓度；外加电压全部降落在耗尽层上，耗尽层近似成立；不考虑耗尽层中载流子的产生与复和；理想pn结电流是少子在准中性区的扩散电流。pn （一）小注入时耗尽区边界处的少子浓度非平衡态时，假设耗尽层内多子的准费米能级保持恒定，则有 （二）小注入时中性区的少子浓度分布外加偏压使得中性区靠近耗尽区边界一个扩散长度内（这一区域称为扩散区）少子浓度偏离平衡值：正向出现少子积累，反向出现少子欠缺。pn正偏正偏反偏反偏 （三）电流电压方程pn在x=xn处的空穴电流密度：在x=-xp处的电子电流密度：通过pn结的总电流密度J为J=通过界面xn空穴电流密度+通过界面xn电子电流密度 =通过界面xn空穴电流密度+通过界面xp电子电流密度 = （四）理想pn结I-V特性的结果分析正偏时电流随外加偏压指数增加，而反向电流随着反偏电压数值的增加很快趋于饱和（即不再随外加偏压而变化）且值很小，pn结具有单向导电性。改变器件的掺杂浓度可以改变流过pn结的电子电流和空穴电流的相对大小。温度对电流的影响很大。