半导体物理学（第8版）课件 3.5一般情况下的载流子统计分布.pptx

半导体物理学 半导体物理学 BAN DAO TI WU LI XUE 一般情况下的载流子统计分布 同时含一种施主和一种受主杂质同时含多种施主杂质和受主杂质1.电中性条件一般情况下载流子统计分布（有补偿情况下载流子浓度） 1.电中性条件一般情况下载流子统计分布（有补偿情况下载流子浓度）同样可以按如下温区进行讨论，低温弱电离区中间电离区饱和电离区过渡区强本征区 2.含有一种受主杂质的n型半导体载流子浓度一般情况下载流子统计分布（有补偿情况下载流子浓度）EcEvEDND大于NA饱和电离区：过渡区：多数载流子少数载流子 3.含有一种施主杂质的p型半导体载流子浓度一般情况下载流子统计分布（有补偿情况下载流子浓度）NA大于ND饱和电离区：过渡区：多数载流子少数载流子 3.含有一种施主杂质的p型半导体载流子浓度一般情况下载流子统计分布（有补偿情况下载流子浓度）一定温度下，费米能级与杂质浓度的关系。受主杂质浓度升高，费米能级靠近价带顶。 3.含有一种施主杂质的p型半导体载流子浓度一般情况下载流子统计分布（有补偿情况下载流子浓度）费米能级随温度和杂质浓度的变化A）一定杂质浓度，温度升高，费米能级靠近本征费米能级。B）一定温度，杂质浓度越高，费米能级靠近导带底或价带顶。C）低掺杂浓度达到本征激发所需的温度低，掺杂浓度高，到达本征激发所需温度高。 3.含有一种施主杂质的p型半导体载流子浓度一般情况下载流子统计分布（有补偿情况下载流子浓度）少数载流子浓度：少数载流子浓度 (强电离区为例)n型:p型:n型半导体中的空穴，p型半导体中的电子少数载流子浓度随温度迅速变化 3.含有一种施主杂质的p型半导体载流子浓度一般情况下载流子统计分布（有补偿情况下载流子浓度）载流子浓度与杂质浓度关系p型n型本 征p p0n p0p n0n n010161012108104010161012108104104106108104101210141016杂质浓度载流子浓度（cm-3）EcEvEDEDEFEFEiEiEFEiEAEFEiEA强p型弱p型本征情况弱n型强n型