半导体物理学（第8版）课件 3.1状态密度.pptx

半导体物理学 半导体物理学 BAN DAO TI WU LI XUE 状态密度 定义： 能带中，能量E附近单位能量间隔内的量子态数。1、公式：一、能量状态密度定义2、物理意义：量子态按能量如何分布3、注意：1)是能量的函数 2)密度不代表单位体积，针对能量 二、求解能量状态密度1.k空间量子态分布（单位体积量子态数） 二、求解能量状态密度波矢k不能取任意值，而是一些分立的值。在k空间中，允许的量子态构成一个空间点阵，每个点由一组整数（nx, ny, nz）表示。k空间中，每一个允许的量子态的k空间代表点都与一个1/L3的立方体相对应关联。即每一个1/L3的立方体中有一个允许的量子态。所以: k空间中量子态密度（单位体积）为V ＝L3，考虑电子自旋，则 量子态密度为2V （单位体积），k空间量子态是均匀分布 。1.k空间量子态分布（单位体积量子态数） 考虑等能面为球面的情况，且假设极值位于k=0：二、求解能量状态密度2.k空间等能面及解决问题的思路 为此需要在k空间作出等能面E和E+dE, dE对应的体积dΩ， dΩ对应的量子态数2V dΩ，dE对应的量子态数dZ＝ 2V dΩ。球形或椭球等能面 二、求解能量状态密度2.k空间等能面及解决问题的思路可求得：如何得到 三、能量状态密度1.导带底附近能量状态密度可求得：将k用能量E表示：1) 能带极值在k＝0，等能面为球面（如GaAs）导带底附近状态密度为: 三、能量状态密度1.导带底附近能量状态密度2)旋转椭球等能面（硅、锗）状态密度 k＝k0电子状态密度有效质量 三、能量状态密度2.价带顶附近状态密度（能带极值在k＝0，等能面为球面）空穴状态密度有效质量 三、能量状态密度考虑s个旋转椭球导带状态密度求解具体过程：椭球体积：体积中包含的量子态：状态密度：其中： 三、能量状态密度考虑轻、重空穴价带状态密度求解具体过程： 三、能量状态密度mtmlsmdnSi0.19m00.98m061.08m0Ge0.0819m01.64m040.56m0GaAs0.067m00.067m010.067m0导带电子的状态密度有效质量 价带空穴的状态密度有效质量(mp)l(mp)hmdpSi0.16m00.53m00.59m0Ge0.044m00.36m00.37m0GaAs0.082m00.45m00.47m0 三、能量状态密度状态密度状态密度与能量关系问题是不是完全对称的？为什么？