SJ_T 2658.6-2015半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率.pdf

ICS 31.080L 53SJ备案号：52033-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2658. 6—2015代替SJ/T2658.6—1986半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率Measuring method for semiconductor infrared-emitting diodePart 6: Radiant power2016-04-01实施2015-10-10发布发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.6—2015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；第2部分：正向电压；第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；NDNRORMATION第5部分：串联电阻ASETRY第6部分：辐射功第7部分：辐射强度第8部分：第9部分辐射强度空问分布机强第10部调制带TECHNOI第11音响应时间分：峰值发身第12部店和光谱辐射带宽；第13部分辐射功圣度系数品第14结温；音第15部分热阻；第16部分光电转换本部分为SJ/2658的第6部本部分按照GB2009《标准作导则第1部分：标准的结构和编写给出的规则起草。本部分代替SJ/-1986《半导体红外发光二极管测试方法输出光功率的测试方法》，除编辑性修改外主要技术花如修改了采用暗箱法测量直流辐射功率的原理图（见图1）S细化了采用暗箱量直流辐射功率的步骤（见5.1.2）法D补充了采用暗箱法测量直流辐射功率的规定条件（见3）修改了采用暗箱法测量脉冲辐射功率的原理图（见图细化了采用暗箱法测量脉冲辐射功率的步骤（见6.1.2）；补充了采用暗箱法测量脉冲辐射功率的规定条件（见6.1.3）；增加了采用积分球法测量直流辐射功率的测量原理图（见图2）、测量步骤（见5.2.2）以及规定条件（见5.2.3）；增加了采用积分球法测量脉冲辐射功率的测量原理图（见图4）、测量步骤（见6.2.2）以及规定条件（见6.2.3）请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：SJ/T2658.6—1986。 SJ/T2658.6—2015半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。INFORMATIOA本部分适用于半导体红外2规范性引用文件下列文件对于凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适本文件TECHNOLOGYGB/T2900200465语：照明平导体红外发SJ/T2658二极管测量方法第1部分：O3术语和定义RGB/T2900.2004界定的65-本料S3. 1直流辐射功direCcurrentradiantpower在规定的正向直流电流作用下，器件所发出的光功率。VRDS3. 2S脉冲辐射功率率 pulse radiant power在规定幅度、频率和占空比的矩形腺冲电作下A磨件所发出的光功率。4一般要求测量辐射功率的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5直流辐射功率的测量5.1方法1-暗箱法5.1.1测量原理图采用暗箱法测量直流辐射功率的原理图见图1。- SJ/T 2658.6—2015Ip探测头指示用电表深测系统暗箱说明：DUT-被测器件；G恒流源；电流表。Aa探测系统探测头的有效接收面积应大于其所接收的器件发射光斑面积。图1暗箱法测量直流辐射功率的原理图5.1.2测量步骤采用暗箱法测量直流辐射功率按下列步骤进行：按图1连接测量系统，将被测器件与探测系统的探测头放入同一暗箱中，探测头的接收面应与a)被测器件的发光面互相平行并尽量靠近，且被测器件所发射的光斑要全部落在探测头的有效接收区域内；调节恒流源，使正向电流I为规定值，读取探测系统示数后得到被测器件的直流辐射功率值。b)5.1.3规定条件有关标准采用本方法时，应规定以下条件：环境温度；a)b)正向电流IF。5.2方法IⅡI积分球法测量原理图5. 2.1采用积分球法测量直流辐射功率的原理图见图2。2 SJ/T2658.6—2015指示用电表积分球“探测头DUT探测系统遮光屏说明：DUT-被测器件；G恒流源；一电流表。A注：被测器件发射的光辐射经积分球壁多次反射，在球壁产生与辐射功率成比例的均匀光；探测系统的探测头位于积分球内壁测量光辐射；遮光屏为探测器屏蔽了来自被测器件的直接辐射；a被测器件、遮光屏以及探测系统的探测头与积分球相比，表面积应该小很多；球内壁和遮光屏表面应有一层高均匀度、高反射系数（不小于0.8）的漫反射镀层；球和探测器组合