SJ_T 2658.8-2015半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度.pdf

ICS 31.080L 53备案号：52035-2015SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2658.8—2015代替SJ/T 2658.8—1986半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度Measuring method for semiconductor infrared-emitting diodePart 8: Radiant intensity2015-10-10发布2016-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.8—2015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；-第2部分：正向电压；-第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；第5部分：串联电阻NDFORMATION第6部分：辐射功率RY辐射通量，第7部分：第8部分时强第9部分辐射强度空间分布和强度角；第10调制带TECHNOL第11应时第112峰值发射长和光谱辐射带宽；第邦辐射功温度系数第14部分结温；第1热阻；第1光电转部分中本部分为SJP658自的第8部分本部分按照GB2009《标准作导则第1部分：标准的结构和编给出的规则起草。本部分代替-1986《半导体红外发光二极管测试方法法向辐射率的测试方法》，除编辑性修改外主要技术化如下修改了辐射强度的测量原理图（见图1）；S补充了辐射强度测方法的规定条件（见5.3）D请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：-SJ/T2658.8—1986。 SJ/T 2658.8—2015半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2900.65—2004电工术语：照明SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则CIE127：1997技术报告LED测量3术语和定义GB/T2900.65一2004界定的术语和定义适用于本文件。4一般要求测量辐射强度的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5．测量方法5.1测量原理图辐射强度的测量原理图见图1。 SJ/T2658.8—2015D;D2DDUTPD2RN说明：ARISNONDUT被测器件；TIONG电流源‘；A电流表；D包括光PDTECHN散光光D2, D3消除D2立限制探测d被测光澜D1几械轴通过探测系绕孔径的中心注：调整被测器-a对于脉冲测量流源所提供的电流度宽度和重第Hb探测器上升时小量仪器美探测系统的光谱录间租对寸于脉冲宽度应够小，系统应度在被测器件普曲线；发射的光谱波！立校准至国际照明发射参数时应采用无光测式谱选择性的光探汉应按距离d和光阑D量距离d应按CI1271997推荐的标准校正测试系乡条件A和B设量a）标准条件A：a为3L6mm，立体角为0.001sr，平面角（全角）为2；b）标准条件B：α立体角为0.01sr，平面角（全角）为6.5%。d为00mm在这两种条件下，所用的探测系个面积为100mm（相应直径为）人射孔径。mm的图15.2测量步骤辐射强度的测量按下列步骤进行：按图1连接测量系统，并进行仪器预热；a)b)调节电流源，给被测器件施加规定的正向电流I，用光度探测系统测量被测器件的辐射强度值。注：该方法适用于三种状态下对器件辐射强度测量。状态1：将光学试验台的光轴对准器件的机械轴。状态2：将光学试验台的光轴对准器件的光轴。状态3：依据与器件外壳结构相对应的基准进行定位，以便获得重复机械定位。5.3规定条件有关标准采用本方法时，应规定以下条件：2 SJ/T2658.8—2015环境温度；a)b)正向电流IF；预热时间；c)d)脉冲宽度和频率（适用时）。3 1/rs中华人民共和国电子行业标准半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度SJ/T 2658.8—2015￥中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：*31/16印张：字数：18千字开本：880×123042015年12月第一版2015年12月第一次印刷印数：200册定价：30.00元版权专有不得翻印举报电话：（010