半导体工艺基础.pptVIP

第九十四页，共一百七十三页，2022年，8月28日 （2）特点 优点：K、Na 离子沾污轻；能够蒸发熔点在 2000℃以上的材料或难熔金属；蒸发速率大；台阶覆盖性好；膜厚控制好。 缺点：导致辐射损伤；蒸发合金时，蒸发所得薄膜的成分与蒸发源的成分会有差异。蒸发后应当采用退火的方法来消除辐射损伤。退火条件：380℃~500℃，N2 或 N2 + H2 混合气氛中退火 15 ~ 40 min 。 第九十五页，共一百七十三页，2022年，8月28日 5、蒸发工艺中影响薄膜质量的因素 （1）金属膜淀积前硅片的清洗 2号清洗剂（HCl:H2O2:H2O = 1:2:8）煮，2.5 % HF 酸腐蚀90秒，冷去离子水冲洗，甩干。 （2）蒸发速率 蒸发速率过低，金属膜不光亮，电阻大，键合困难；蒸发速率过高，会在硅片表面形成金属原子团淀积小丘，影响光刻，且厚度也不易控制。 （3）蒸发源的合金成分 为了防止合金化时硅向铝中溶解而引起PN结穿通，可采用Al-Si ( 1~2 % ) 合金蒸发源；为了提高铝膜的抗电迁移能力，可采用Al-Cu ( 1~4 % ) 或Al-Si-Cu (含Cu 4 %，含Si 1 %)合金源。 第九十六页，共一百