SJ_T 2658.10-2015半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽.pdf

ICS 31.080L 53备案号：52037-2015SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T2658.102015代替SJ/T2658.10—1986半导体红外发射二极管测量方法第10部分：调制带宽Measuring method for semiconductor infrared-emitting diodePart 10: Modulation bandwidth2015-10-10发布2016-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 2658.10—2015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；第2部分：正向电压；第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；ND第5部分：串联电阻INRORMATION第6部分：辐射R辐射通，第7部分：第8部分：射强第9部分S射弹强角：第10调制带TECHNOL第11应时响部分：第12峰值发用长和光谱辐射带宽；第辐射功温度系数第结温；湖第1热阻；第16光电转本部分为ST8的第！尚本部分按照GBL2009手则第1标准的结构和编写》给出的规则起草。本部分代替SJIT2658.10—1986《半导体红外发光二极管测试方法调制带宽的测试方法》，除编辑性修改外主要技术变化如下：修改了调制带宽的定义（见3.1）；IRDS修改了调制带宽的测量原理图（见图1）；细化了调制带宽的测量步补充了调制带宽测量方法的规是条件（见）A请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究所。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：-SJ/T2658.10—1986。 SJ/T2658.10—2015半导体红外发射二极管测量方法第10部分：调制带宽1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）调制带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2900.65—2004电工术语：照明SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则3术语和定义GB/T2900.65一2004界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3. 1调制带宽modulationbandwidth在规定的直流正向工作电流下对被测器件进行正弦电流调制，设探测器输出信号的最大幅度点对应的频率为f，保持调制电流信号幅度不变，从f开始增加信号源频率，当探测器的输出信号幅度下降到Po的50%（-3dB）时所对应的频率为fi，则f与f之差的两倍即为被测器件的调制带宽。注：只要调制信号频率在探测器的线性响应范围内，探测器输出的交流电信号功率值就可等效为被测器件的辐射功率值。4一般要求测量调制带宽的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5测量方法5.1测量原理图调制带宽的测量原理图见图1。1 SJ/T 2658.10—2015探测头指示用电表示波器TIRORMATIONTINDUSTRKANEK、探测系统暗箱说明：TECHNOLDUT-被测器F恒流源G1-发正弦G2电流A高频Lc隔直C负载匹酉电阳RcO8探测系统探测头的有效接收面积应大于其所接收的器件发射光斑面积，且探测系统的频率响应应比被测器件至少高5倍。b Rc应使被测器件回路与信与源输出阻抗相匹配。TANDARDS图调制带宽的测量原理图5.2测量步骤福调制带宽的测量按下列步骤进行：按图1连接测量系统，将被测器件与探测系统的探测头放入同一暗箱中，探测头的接收面应与a)被测器件的发光面互相平行并尽量靠近，且被测器件所发射的光斑要全部落在探测头的有效接收区域内；调节恒流源G1，使直流正向工作电流为规定值；b)对被测器件进行正弦电流调制（调制电流信号幅度应小于直流正向工作电流的幅度），把输出c)的正弦调制光固定对准探测器的光敏区，设探测器输出信号的最大幅度点为Po，记录此时对应的频率fo;保持调制信号幅度不变，从%开始增加信号源频率，当探测器的输出信号幅度下降到P。的50%d)（-3dB）时，记录其对应的频率fi；与f之差的两倍即为被测器件的调制带宽。e)2 SJ/T 2658.1020155.3规定条件有关标准采用本方法时，应规定以下条件：环境或管壳温度；a)b)直流正向工作电流。3 1中华人民共和国电子行业标准半导体红外发射二极管测量方法第10部分：调制带宽SJ/T2658.10—2015*中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010）64