SJ_T 2658.5-2015半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻.pdf

ICS 31.080L 53SJ备案号：52032-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T2658.52015代替SJ/T2658.5—1986半导体红外发射二极管测量方法第5部分：串联电阻Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 5:Series connection resistance2015-10-10发布2016-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.5—2015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；第2部分：正向电压；第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；NDNFORMATION第5部分：串联电阻STRY AN第6部分：辐射功第7部分：辐射强度第8部分：第9部分高射强度空间分布和DR第10部周制带宽TECHNOL第11音响应时间分：第12部务峰值发身和光谱辐射带宽；温度系效第133部分辐射功率结温；第14部分：第15热阻；部分：第16部分光电转换电本部分为SJ/L7258的第5部本部分按照GB/2009《标第1部分：标准的结构和编写给出的规则起草。导灿正向电联电阻的测试方法》，除本部分代替SJ/T1986《半导体红外发光二极管测试方法编辑性修改外主要技术变化如下：串联电阻的定义中补充了I-V