材料表面工程第十一章.pptVIP

11-1-5 离子镀膜 离子镀是在镀膜的同时，采用带能离子轰击基片表面和膜层的镀膜技术。 离子轰击的目的在于改善膜层的性能，离子镀是镀膜与离子轰击改性同时进行的镀膜过程。 无论是蒸镀还是溅射都可以发展成为离子镀。 第二十九页，共六十九页，2022年，8月28日 离子轰击对基片表面的清洗作用可以除去其污染层，另外 还能形成共混的过渡层。如果离子轰击的热效应足以使界 面处产生扩散层，形成冶金结合，则更有利于提高结合强 度。 离子轰击可以提高镀料原子在膜层表面的迁移率，有利于获得致密的膜层。 第三十页，共六十九页，2022年，8月28日 1．离子镀的类型 离子镀设备要在真空、气体放电的条件下完成镀膜和离子轰击过程，由 真空室、蒸发源、高压电源、离化装置、放置工件的阴极等部分组成。 (1) 空心阴极离子镀(HCD) HCD法是利用空心热阴极放电产生等离子体。 由HCD枪引出的电子束初步聚焦后，在偏转 磁场作用下，束直径收缩而聚焦在坩埚上。 HCD枪既是镀料的气化源也是蒸发粒子的离 化源。 空心阴极离子镀广泛用于镀制高速钢刀具TiN 超硬膜。 第三十一页，共六十九页，2022年，8月28日 (2) 多弧离子镀 多弧离子镀采用电弧放电的方法，在固 体的阴极靶材上直接蒸发金属。 多弧离子镀的特点是从阴极直接产生等离 子体，阴极靶可根据工件形状在任意方向 布置，使夹具大为简化。 多弧离子镀以喷射蒸发的方式成膜，可以保证膜层成分与靶材一致， 这是其它蒸镀技术所做不到的。突出优点是速率快，存在的主要问题 是弧斑喷射的液滴飞溅射到膜层上会使膜层粗糙，对耐蚀性不利。 第三十二页，共六十九页，2022年，8月28日 (3) 离子束辅助沉积 离子束辅助沉积是在蒸镀的同时，用离子束轰击基片。 双离子束镀是一种将离子注入和常规气相沉积 镀膜结合起来，兼有两者优点的高新技术。 两个离子束，其中低能的离子束1用于轰击靶 材，使靶材原子溅射并沉积在基片上。另一个 高能的离子束2起轰击(注入)作用。 双离子束镀的基本特征是在气相沉积镀膜的同时，用具有一定能量的离子束轰击不断沉积着的物质。由于离子轰击引起沉积膜与基体材料间的原子互相混合，界面原子互相渗透溶为一体，形成一个过渡层从而大大改善了膜基的结合强度。 第三十三页，共六十九页，2022年，8月28日 2．离子镀的应用 离子镀膜具有粘着力强、 均镀能力好、取材范围广 且能互相搭配，以及整个 工艺没有污染等特点，在 工业上有着广泛应用。 此外，离子镀在能源、集 成电路、磁光记录、光导 通讯等领域也有广泛的用 途。 第三十四页，共六十九页，2022年，8月28日 11-2 化学气相沉积(CVD) 11-2-1 概 述 化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称CVD)是在相当高的温度下，混合气体与基体的表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。 CVD与物理气相沉积不同的是沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。 第三十五页，共六十九页，2022年，8月28日 化学气相沉积的发展可追溯到十九世纪末，德国的 Erlwein等利用CVD在白炽灯丝上制备了TiC， 后来 Arkel和Moers等又分别报道了在灯丝上用CVD制取高 熔点碳化物工艺试验的研究结果。 到了二十世纪60年代末，CVD制备TiC及TiN硬膜技术已逐渐走向成熟并大规模用于镀制硬质合金刀片以及Cr12系列模具钢。 第三十六页，共六十九页，2022年，8月28日 随着CVD技术的进一步完善并扩大应用范围，又发展了多种新型的CVD技术。 例如, 用离子增强化学气相沉积(PCVD)制备TiC薄膜，沉积温度可降至500℃。 由于半导体外延和大规模集成电路的需要, 又发展了金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)和激光化学气相沉积(LCVD)。 第三十七页，共六十九页，2022年，8月28日 CVD制备金刚石薄膜技术也取得了重大进展，先后采用了 直流电弧等离子化学气相沉积(DC-Arc Plasma CVD) 和微波等离子化学气相沉积(MPCVD)等技术。 CVD金刚石薄膜物理性能和天然金刚石基本相同或接近， 化学性质完全相同，因此扩大了金刚石的应用领域。 第三十八页，共六十九页，2022年，8月28日 通常CVD的反应温度范围大约900?2000?C，它取决于 沉积物的特性。 中温化学气相沉积(MTCVD)的典型反应温度大约500? 800?C，它通常是通过金属有机化合物在较低温度的分解 来实现的。等离子体增强化学气相沉积(PCVD)以及激光 化学气相沉