SJT 10416-1993半导体分立器件芯片总规范.pdf

L 40SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T.1041693半导体分立器件芯片总规范Generic Apecification for chip forsemiconductor discrete devices1993-12-17发布1994-06-01实施中华人民共和国电子工业部•发•布 中华人民共和国电子行业标准半导体分立器件芯片总规范SJ/T 10416-93Generic Apecification for chip forsemiconductor discrete devices;1,主题内容与适用范围本标推规定了半导体分立器件芯片(以下简称芯片)的技术要求、检验方法及验收规则。本标准适用于半导体分立器件芯片，含已粘膜划片的大圆片和未划片的大圆片。单个管芯也可参照使用。2引用标准GB 191包装储运图示标志GB 4589.1半导体器件分立器件和集成电路总规范GB 4937半导体分立器件机械和气候试验方法GB 4938半导体分立器件接收和可靠性GB 12962硅单晶GB 12964硅单晶抛光片GJB 128半导体分立器件试验方法3术语3.1 挡比 range ratio符合芯片详细规范规定的电参数某挡的数量与所提交总数的百分比。4 质量一致性检验4.1检验批的构成一个检验批可由一个生产批组成，或者在下述情况下由几个生产批组成：a。 这些生产批是在相同条件下(生产线、工艺、材料等)制造出来的。b：每个生产批的检验结果表明，材料和工序质量能保持生产的产品符合规范要求；c。 集合成一个捡验批的周期一般不得超过一周。除非另有规定,但也不得超过一个月。4.2凡本章中采用的“规定”或“按规定一词，未引让出处时，即指引证芯片详细规范。4.3A组检验(逐批)A组检验由列于表1的6个分组构成，主要检验芯片的图形、尺寸、外观质量、键合强度、中华人民共和国电子工业部1993-12-17批准1994-06-01实施 SJ/T 10416-93剪切强度及主要直流参数的技术性能。A组检验(逐批)表 1LTPD试验方法技术要求分组检验或试验5(C =0)目检或显微镜按规定A1外观图形(版图)图片完整性15按规定A2.GB 12962芯片尺寸(长×宽)GB 12962芯片厚度GB 12964芯片平面度GB 12964芯片平行度按规定按规定A3正反面金属化及金属化层缺陷GJB 128 中 2072钝化层缺陷GJB 128 中 2073氧化层缺陷键合区缺陷划片缺陷按规定按规定中测打点质量20(C 1)GB 4937 中 2. 6按规定键合强度A4（每批至少一片）20(C= 1)GJB 128 中 2017按规定剪切强度A5(每批至少一片）1)按规定按规定A6直流参数注：1)二极管 LTPD=7(C=1)三极管 LTPD=10(C=1)4.4C组检验(周期检验)C组检验由列于表2的3个分组组成。主要检验芯片封装成器件后器件的电性能、电耐久性及耐高温贮存的技术性能。C 组检验周期为 6 个月。表 2 C组检验(周期)检验要求件LTPD条试验或检验试验方法分组最小值！最大值10按规定按规定按规定C1电参数10按规定C2GB 4938t =168h电耐久性试验t -168h10按规定C3GB 4937高温心存试验(非工作)T =T.. SJ/T 10416--935 鉴定及验收5.1鉴定程序及合格标准当制造厂为某一型号芯片中请鉴定批准时，除按有关鉴定规定执行外，芯片需经下列试验:a． 本标准第 4.3 条一A 组检验(逐批)b． 本标准第 4. 4 条—C组检验(周期)c．芯片组装成器件后，按器件详细规范中的质量一致性检验要求，连续三批A组、B组和一批 C 组检验。注：由于 b、c 两项检验与器件后部装配技术关系密切,需确认后部装配条件正常后方可进行。5.2验收规则5.2.1提交验收的芯片必须符合本标准第4.1条检验批构成的规定。5.2.2如果 A组(逐批)检验不合格,可以将不合格项目的分组进行第二次检验，抽样数及抽样方案同第一次，如果仍不合格，则该批判为不合格批。5.2.3如果C组（周期）检验不合格，并被确认通过重新检验分类或适当的筛选试验可以发现并拒收有缺陷的芯片时，允许对不合格项目的分组进行第二次周期试验，抽样数及抽样方案同第一次。当第二次周期试验仍不合格时，该批芯片判为不合格批。5.2.4提供大圆片单片管芯合格率及挡比应符合有关详细规范的规定。6包装及贮存6.1芯片一般应密封包装，以便芯片处于良好的深护环境中，使芯片不受外界化学的、物理的、机械的应力，造成损伤。6.2提交的每批芯片应有合格证,并提供下列数据：a.芯片名称(或相应器件型号)；b.制造厂名称、代号或商标；c.生产批编号或生产日期，d.检验日期;e.合格管芯数；I.挡比(合同有规定