石英晶体振荡子的基础知识.docVIP

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石英晶体振荡子的基础知识 一、基础术语 晶体振荡子是利用晶体特有的压电现象,是可以从机器的谐振中产生一定频率的元件。 随着集成电路技术的进步,以前只能用大规模计算机系统才能处理的各种机器控制,现在也可以使用1个IC或LSI进行控制。IC、LSI的操作中,时钟基准信号不可欠缺,晶体振荡子可以生成时钟,并且具有高波段稳定性、无需调成、小尺寸的特点。现在,晶体振荡子被广泛应用于卫星通信、移动通信机器中,也用于汽车、电视机、电脑、甚至是DVD机器等信息家电领域。可以对应各种不同用途。 共振频率 在石英晶体的共振特性中,共振频率是两点阻抗变为电阻时的较低频率点。 图.石英晶体共振特性 阻抗Z变为电阻元件时,两点之间的频率。在这两点上,相为0。 其中频率较低的点称为共振频率。另外一个点称为反共振频率。 等效电路 下图所示的是由电阻、电感和电容组成的石英晶体的共振特性。R1在等效电路中称为等效串联电阻,是石英晶体的重要特性。 ? 等效串联电阻 (R1) 石英晶体等效电路串联支路中的电阻。 负载电容 (Cs) 让石英晶体具有负载共振频率的电容。 在实际振荡电路中,连接石英晶体的实际电容是由外部负载电容、IC杂散和PCB等产生的。 也可用下述公式进行计算: ? 负载共振频率 (fL) 负载共振频率是石英晶体中负载电容串联的共振频率,这一频率比共振频率高。 由于实际值与石英晶体规范中额定值之间的电容差,所以实际和额定振荡频率间存在频差。 也可用下述公式进行计算: ? 拉敏性 上图显示了负载电容变化产生的负载共振频率 (fL) 偏移。 此图中每个点的斜率就是拉敏性。 参见下图。在负载电容为6pF时,拉敏性是-17ppm/pF。 (负载电容变化1pF时,频移为17ppm) 也可用下述公式进行计算: ? 导纳圆 下图是在导纳平面坐标 (电导—电纳) 上绘制的石英晶体共振特征。由于画成了圆形,因此称为导纳圆。 在频率低于共振频率时,导纳靠近原点。 在频率增加时,导纳按顺时针方向画圆。 ? 振荡裕量/负阻分析 即振荡停止的裕量,这也是振荡电路中最重要的术语。 振荡裕量取决于组成振荡电路的元件 (石英晶体、MCU、电容器以及电阻器) 。 村田推荐维持5倍或更大的振荡裕量。 详细内容请参阅“振荡裕量说明”。 负阻 (-R) 负阻是用阻抗表示的振荡电路信号放大能力。 由于其作用与电阻相反,所以是负值。 负阻绝对值小说明振荡电路的放大能力低。 振荡电路中的负阻取决于CMOS逆变器的特性、反馈电阻、阻尼电阻和外部负载电容。 ? 驱动功率 驱动功率是指振荡电路中石英晶体的功耗。 它不仅取决于石英晶体的等效串联电阻,还取决于组成振荡电路的元件 (MCU、电容和电阻) 。 在驱动功率超额时,频率—时间性能会出现不正常特性。在设计振荡电路时,最好检查一下驱动功率。 C-MOS逆变器 C-MOS是互补MOS,组成了相互连接的p和n型MOSFET。 在下图中起到逆变器 (逻辑逆变电路NOT) 的作用。 ? 振荡电路 在装有C-MOS逆变器或晶体管的放大电路中,所谓的“振荡电路”就是将输出连接到输入,以便持续放大反馈。 只有通过石英晶体反馈才能选择并放大共振频率的信号。 电路匹配 构成电路的元件 (C-MOS逆变器、石英晶体、电阻和外部负载电容) 组合,会改变振荡特性。 因此,必须组成适当的电容组合,以获得强大的振荡电路。这种检查和调整也称为电路匹配。 标称频率 标称频率是指石英晶体生产商指定的石英晶体频率。 必须要知道的是,由于MCU、PCB和外部负载电容的不同,实际振荡频率会偏离标称频率。 频率容限 是指操作环境中振荡频率最大允许偏差的频率范围。通常根据标称频率用ppm表示。 振荡电路元件: 反馈电阻 在振荡电路中,反馈电阻与C-MOS逆变器并联连接。它可能集成在MCU上。 它的作用是平衡逆变器I/O间的DC电压,而逆变器将起到放大器的作用。 在反馈电阻没有集成在MCU上时,最好使用1Mohm作为外部反馈电阻。 阻尼电阻 阻尼电阻用于振荡电路中C-MOS逆变器的输出端。其作用是减小振荡幅度,以降低降低功率。另一方面,必须注意振荡裕量,因为超额的阻尼电阻会引起振荡停止。 通常阻尼电阻的使用范围是从0到2kΩ,它取决于MCU的特性。 外部负载电容 外部负载电容用于振荡电路接地逆变器的输入端和输出端。 它是直接影响负阻和振荡频率的重要元件。 这些电容在CERALOCK?中称为“负载电容器”。另一方面,在石英晶体中,将其称为“外部负载电容”,以区别于负载电容“Cs”。 通常将两个相同的电容用作外部负载电容。 5到10pF作为外部负载电容是很适合的,这将取决于MCU的特性和安装基板的寄生电容。 二、振荡裕量 振荡裕量是指振荡停止的裕量,这是振荡电路中最重要的术语。该裕量是以石英晶体电

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