基于material studio软件对SiC材料结构的模拟研究.docVIP

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2023-08-13 发布于湖南
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基于material studio软件对SiC材料结构的模拟研究 - - PAGE 4 - - - PAGE 3 - 摘要碳化硅是IVA族元素硅和IVA族元素碳化合而成的化合物半导体材料，是目前研究最成熟的一种宽禁带半导体，拥有高饱和电子迁移率，高击穿电场，耐腐蚀，体积小等特性，是第三代半导体材料，应用于半导体照明，电子电力器件，以及航天，军工，电动汽车，新能源发电等领域。并且拥有很大的潜力，有望在光电子，微波射频，电子电力等领域发挥潜力，推动发展，满足其对更小，更快，更适应特殊环境的要求。本文应用介绍了SiC材料的性质，应用以及目前国内外研究现状。简单介绍了所用到的MS模拟软件及