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静态随机存储器实验实验报告 **大学实验（实训）报告 PAGE 4 **大学 实验（实训）报告 实验名称 运算器、存储器 所属课程 计算机组成与结构 所 在 系 计算机科学与技术 班 级 学 号 姓 名 指导老师 实验日期 时，OE=0时进行读操作,WE=0时进行写操作，本实验将CS常接地。 图2-1 SRAM 6116 引脚图 由于存储器最终挂接到CPU上，所以还需要一个读写控制逻辑，使得CPU能控制MEM的读写，实验中的读写控制逻辑如图2-2所示，由于T3的参与，可以保证MEM的写脉宽与T3一致，T3由时序单元的TS3给出。IOM用来选择是对 I/O还是对MEM进行读写操作，RD=1时为读，WR=1时为写。 图2-2 读写控制逻辑 实验原理如图2-3所示，存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8个LED灯显示D7…D0 的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8个LED灯显示A7…A0的内容，地址由地址锁存器给出。数据开关经一个三态门连至数据总线，分时给出地址和数据。地址寄存器为8位，接入6116的地址A7…A0，6116的高三位地址A10…A8接地，所以其实际容量为256字节。 图2-3 存储器实验原理图 实验箱中所有单元的时序都连接至时序与操作台单元，CLR都连接至CON单元的CLR按钮。实验时T3由时序单元给出，其余信号由CON单元的二进制开关模拟给出，其中IOM应为低（即MEM操作），RD、WR高有效，MR和MW低有效，LDAR高有效。 2.5．实验步骤 2-5实验接线图 关闭实验系统电源，按图2-5连接实验电路，并且检查无误。 将时序与操作台单元的开关KK1、KK3设置为运行档、开关KK2设置为“单步”档。 将CON单元的IOR开关置为1，打开电源开关。 给存储器的00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H。由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤为： 先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0），数据开关输出地址（IOR=0），然后打开地址寄存器门控信号（LDAR=1），按动ST产生T3脉冲，即将地址写入到AR中。 再写数据，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0）和地址寄存器门控信号（LDAR=0），数据开关输出要写入的数据，打开输入三态门（IOR=0），然后使存储器处于写状态（WR=1，RD=0，IOM=0），按动ST产生T3脉冲，即将数据打入到存储器中。 写存储器流程如2-6所示（以00地址单元写入11H为例）： 图2-6 写存储器流程图 依次读出第00、01、02、03、04号单元的内容，观察上述各单元的内容是否与前面写入一致。同写操作类似，读到时候也要先给出地址，然后进行读，地址的给出和前面一样，而在进行读操作时，应先关闭IN单元的输出（IOR=1），然后使存储器处于读状态（WR=0，RD=1，IOM=0），此时数据总线上的的数就是从存储器当前地址中读出的数据内容。 读存储器的流程如下图2-7所示（以从00地址单元读出11H为例）： 图2-7 读存储器流程图 2.6实验结果 给存储器的00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H,依次读出数据为0001001000010100 2.7实验总结 ……………