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基于material studio软件对SiC材料结构的模拟研究 PAGE PAGE II PAGE PAGE I 摘 要 碳化硅是IVA族元素硅和IVA族元素碳化合而成的化合物材料，是目前研究领域最前沿和热门的一种宽禁带半导体材料，被誉为第三代半导体材料，它拥有高饱和电子迁移率，高击穿电场，耐高温，耐腐蚀，抗辐照等诸多优越特性，应用于半导体照明，电子电力器件，以及航天，军工，电动汽车，新能源发电等领域。并且它拥有很大的潜力等待挖掘，以满足更小，更快，更适应特殊环境的要求，今后有望应用到光电子，微波射频，电子电力等领域中，推动这些领域的发展。 本文介绍了SiC材料的