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x波段vivaldi天线阵列互耦问题研究 相控制矩阵天线广泛应用于各种雷达、测量、通信、遥感等设备。它一直是国内外研究的热点。1979年，vivadi天线是gibson根据指数规律逐渐改进的非晶态天线。这种辐射模式是端射。这是一种极化、高增益波天线。其工作频率范围大，结构简单，易于加工，适合与固体器官相结合。作为一个辐射单元，文学矩阵天线单元采用vivadi槽缝天线。1。 阵列天线中单元天线之间的耦合直接影响天线性能,如辐射方向图失真、副瓣升高、增益改变等;因此,阵列天线的去耦是设计中必须考虑的问题.通常有2种方法去耦:一种是建立阵列天线的互耦系数矩阵,进行互耦补偿;另一种是对天线结构本身进行改进.目前,已有很多科学家利用EBG结构和DGS缺陷地结构的表面波带隙特性来减小天线阵的互耦,以提高天线阵性能.Abbas Ali Lofti Neyestanak等提出了一种蘑菇状EBG结构来抑制表面波的传播,大大降低了单元间的互耦.但EBG结构需要较多的周期性单元,会增加天线的面积;而DGS缺陷地结构体积小、结构更简单.这2种结构多用于微带贴片天线中,文中将DGS结构用于Vivald天线来改善阵列单元之间的互耦,并利用高频结构仿真软件CST对天线进行了建模、仿真分析和优化.从仿真结果来看,该结构能提高阵列天线增益,减小副瓣电平,可以有效地减小阵列天线的互耦. 1 天线的仿真及优化 加入DGS结构的Vivaldi天线单元结构图1所示该天线由带状线—槽线馈电部分、介质板和指数渐变开槽接地板3部分组成. 带状线—槽线馈电部分的设计将直接影响天线的宽带特性,结构参数主要有带状线宽WSL和槽线宽度WST,该馈电结构由带状线—槽线过渡部分、圆形谐振腔和扇形微带短接线组成.圆形谐振腔是在槽线末端加的环形结构,可以增加天线的阻抗带宽,一般其直径取中心频率波长的0.125左右,扇形微带短接线使微带线在更大的频段上保持开路状态,可以更好地使微带线上的能量耦合到槽线上,提高天线的辐射效率,介质基板尺寸选择为30 mm×14 mm×2.4 mm,介电常数为2.2. 指数渐变开槽部分由开口率R和渐变曲线起点和终点决定.一般天线的渐变曲线开口率R由天线的工作频率决定,天线辐射部分槽线最窄处由最高频率所对应波长决定,槽线最宽处由最低频率所对应波长决定,根据X波段范围,取R=0.3. 为了进一步研究天线各参数和天线性能的关系,用软件CST对所设计的天线进行了仿真分析和优化.在天线单元加载DGS结构——接地板上刻蚀长方形缺陷地,抑制天线表面波,达到减小阵列单元之间的耦合,进行分析优化后得到单元天线尺寸如表1所示. 用CST建模和仿真,回波损耗结果如图2所示.在X波段(8～12.5 GHz)回波损耗小于-10 dB,加入DGS结构后可以明显增加天线单元的阻抗带宽,工作频率并没有明显偏移,说明该结构对天线的工作频率并无明显的影响;而在工作频率范围内回波损耗降低了5 dB左右,10 GHz时回波损耗达到-27.4 dB,完全符合设计要求.天线的E面和H面辐射方向如图3所示,增益达到4.6 d Bi,3 d B波束宽度达到94.3o,具有很好的宽角辐射特性,可作为天线阵列辐射单元. 2 次辐射的互环机理 在研究互耦问题时一般采用有源方向图法.选定一个阵元接信号源作为参考单元,而将其他阵元接匹配负载,将所有的耦合都归入有源元,此时设第m个阵元得到的方向图即为有源元方向图gm(uf071,uf06a).有源元方向图是由第m个单元的直接辐射场,以及其他阵元通过空间耦合接收第m个阵元的功率产生的二次辐射场相结合而形成.接匹配负载单元从自身辐射出去一定能量,这些能量就相当于是互耦效应的存在,互耦机理如图4所示. 这样形成的天线阵方向图为 在这里,全部耦合影响都组合在有源元方向图gm(θ,ψ)中,它依赖于每个阵元的特性及天线阵的几何结构.将之前所述的天线单元组成线阵形式,如图5所示. 单个DGS单元在某个频率点具有衰减特性和截止频率,其频率特性和单极点Butterworth低通滤波器的响应有相似之处,那么电磁特性可用集总参数电感和电流来描述,单个单元的等效电路图为LC并联电路,其带阻特性由谐振频率和截止频率决定,所有DGS单元的等效集总电路如图6所示. 连接DGS单元的金属产生等效电容,整个电路特性为串联的LC谐振回路,如滤波器般在某个频段上阻止电流在导体上面流动,抑制表面波的传播,即可以在一定程度上降低阵列单元之间由于二次辐射而造成的耦合影响,达到去耦的效果. 3 引入dgs结构 将Vivaldi槽缝天线为阵列单元,组成10元线阵,应用有源方向图法,首先只对中心阵元进行馈电,分别加入DGS结构和不加DGS结构2种情况进行仿真,结果如图7所示. 同元因子方向图比较可知:不加DGS结构时