PIE 培训课程
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1 何需要 Start Oxide? 3
2 何需要 Zero layer? Laser Mark? 3
3 目前常用的晶片阻值為何? 算成濃度值多
少? 4
4 矽原子的 Latticeconstant 何? 算成外表
度, 度各是多少? 4
5 Well 程影響那些元件特性? 5
6 0.5um 至 0.18um 程, Well 局部的製程改
何? 其原因何在? 5
7 何 LOCOS? Typical process flow? 6
8 何 STI? Typical process flow? 6
9 STI IC 程有何影 ? 可控制因子有哪些? 7
10 何 ODR? 品有何影 ? 8
11 ODR pattern density STI CMP 有何影 ? 8
12 B-Clean的目的為何? 目前共有 B-Clean recipe存在 FAB ? 的目的有何不同? 8
13 何 Epi-Wafer? 品有何影 ? 10
14 SiN CVD dep 管各局部的溫度別控制在 什 ? 什麼如此? 10
15 STI 刻後需檢查什麼地方以確保蝕刻正常? 些項目在密集區何疏散區有何不同? 11
16 ActivePHO (O
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