NPB异质结物理性质研究的开题报告.docx

GaMnAs薄膜制备及GaMnAs/NPB异质结物理性质研究的开题报告 一、研究背景 锗锑铍磷化物（GaMnAs）是一种重要的磁性半导体材料，具有宽 band-gap 和 ferromagnetism性质。由于其具有诸多特殊的物理性质，GaMnAs在磁电子学、自旋电子学、磁电阻、磁隧穿效应等方面具有广泛的应用前景。当前，GaMnAs的制备方法包括分子束外延、金属有机气相外延和等离子体增强化学汽相沉积技术。但其充满挑战的困难在于如何制造出合理的GaMnAs薄膜和优异的物理性能。 二、研究目的 本课题的主要目的是探究可行的方法制备高质量GaMnAs薄膜并进一步研究GaMnAs/NPB异质结的物理性质，为其在磁性半导体器件领域的应用提供一定的基础研究。 三、研究内容 1. 制备高质量的GaMnAs薄膜。 通过分子束外延以及等离子体增强化学汽相沉积技术制备GaMnAs薄膜，优化GaMnAs薄膜的结构和性能，探究制备高质量GaMnAs薄膜的最佳条件。 2. 研究GaMnAs/NPB异质结的物理性质。 研究GaMnAs/NPB异质结的电子能带结构，定量计算其势垒高度及对Arylamine型有机半导体材料（如 NPB）的影响，探究磁性半导体和有机半导体之间的反腐蚀性，进一步挖掘GaMnAs材料在磁性半导体中的广泛应用前景。 四、研究意义 本研究将揭示GaMnAs材料在磁性半导体器件领域的应用潜力和前景，探究制备高质量GaMnAs薄膜和优异的物理性能等关键问题，为磁性半导体领域的发展做出贡献。