Gate Grounde NMOS器件的ESD性能分析.pdfVIP

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2023-08-19 发布于湖北
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Gate Grounde NMOS器件的ESD性能分析.pdf

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第 11卷，第2期电子与封装总第94期 Vo1 11，No 2 2011年2月．． ELECTR0NICS PACKAGING 一＼，～～～～ f 擞电寻制：道与、可，‘《靠j{_1生一、 | 一、一 ” ， GateGroundedNMOS器件的ESD性能分析李亮，朱科翰 (1．苏州市职业大学电子系，江苏苏州215104；2．昆泰集成电路 (上海)有限公司，上海201203) 摘要：文章基于0．18 mCMOS工艺制程的1．8VNMOS器件，从工艺的角度并用TLP测试系统对栅极接地的NMOS (GGNMOS)ESD器件进行比较分析。介绍了SAB和 ESD注入对 GGNMOS的性能影响，影响GGNM0SESD性能的瓶颈是均匀开启性。在GGNMOS版图等其他特征参数最优的前提下，采用SAB 能改善其均匀开启性，从而改进 ESD性能。GGNMOS的瞬态触发电压在 7V左右，不会造成栅氧可靠性威胁，因此，采用PESD并非必需。关键词：静电放电；栅极接地；注入中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：1681-1070(2011)02—0018—04 AnalysisofESD PerformanceforGateGroundedNM oSDevice LILiang，ZHU Ke—han (1．DepartmentofElectronics，SuzhouVocationalUniversity，Suzhou215104，China； 2．ChrontelIC (Shanghai)Co．Ltd．，Shanghai201203，China) Abstract：Basedon1．8VNM OSdeviceswhicharefabricatedincertain0．18 m—CMOSprocess，gategrounded NMOS(GGNM0S)ESDdevicesareanalyzedandcomparedfromprocessperspectivebyusingTLPtesting system．TheeffectsinGGNMOSESDperformanceswithsalicideblock(SAB)andESDimplantarein~oduced， respectively．Uniform tum-onofGGNMOSiSimportnat．CompraingwiththeGGNMOSdevicewithorwithout SABwhilekeepallotherlayoutpraametersthesame，thosewithSABcouldimprovecurrentunifomr ity，which inturnshowhigherrobustness．ThetransienttriggeringvoltageofGGNMOSisabout7V，itwillnotthreaten gateoxidereliability，SOPESD implantisnotnecessary． Keywords：ESD；gategrounded；implna t 入 (EsD implant)供客户选择，但不是免费的。 1 引言