电容式微机械超声换能器振膜设计与声学辐射研究.docxVIP

? ? 电容式微机械超声换能器振膜设计与声学辐射研究* ? ? 高鹏飞, 何常德, 张彦军, 张文栋, 张国军 (中北大学 省部共建动态测试技术国家重点实验室,山西 太原 030051) 0 引 言 随着微机电系统(micro-electro-machanical system,MEMS)和集成电路(IC)工艺的快速发展,电容式微机械超声换能器(capacitive micromachined ultrasonic transducer,CMUT)因其宽频带[1～3]、可批量制造[4]、易于制造二维阵列[5～7]、易与IC集成[8]和高机电转换效率[9]等优势[1～9],已成为一种重要的新型超声换能器,在医学成像[10,11]、无损检测[12～14]、距离测量[15]等方面具有广泛的应用前景[10～15]。CMUT的设计对其性能指标至关重要,性能指标包括塌陷电压、谐振频率、灵敏度、声学辐射等[16～20]。 本文研究了CMUT设计的振膜材料、尺寸与声学辐射的关系。以经典薄板理论构成了CMUT建模的基础,分析了不同振膜设计的频率、振型,并根据瑞利—索末菲衍射公式计算相应的声学辐射。此研究比活塞辐射近似计算CMUT声场提高了准确性。此研究得到精确的CMUT声学辐射,对研究CMUT阵列的自辐射阻抗和相互辐射阻抗具有借鉴意义,可用于选择膜的几何形状和布局进行辐射阻抗的优化[21,22]。 1 CMUT建模与理论推导 1.1 CMUT振膜振动分析 CMUT结构包括上电极、下电极、振动薄膜、绝缘层、硅衬底以及真空腔,如图1所示。对上下电极施加电压可使振膜振动发射超声波,下面首先运用薄板振动理论对振膜的振动进行研究,得到振膜的谐振频率与振型分布。 图1 CMUT换能器结构 由薄板振动理论可知,CMUT振膜属于边缘固支的圆形薄板结构。CMUT在真空或空气中的基频可用式(1)表示；基频即为一阶谐振频率,此频率对应的振动用式(2)表示 (1) 式中h为振膜厚度,a为振膜半径,E为杨氏模量,ρ为材料密度,σ为泊松比。由式(1)可知，CMUT的基频与振膜材料有关,且振膜厚度与频率呈正比,振膜半径的平方与频率呈反比 (2) 式中A为系数,基频的频率系数αa=3.196,r为圆上一点到圆心的距离,J0为零阶贝塞尔函数,I0为零阶虚宗量贝塞尔函数。由式(2)知，挠度w与r和时间t有关。 1.2 CMUT声学辐射 对于单个CMUT计算振膜向半空间辐射情况,根据瑞利—索末菲衍射公式(式(3))可以得到声场中任意一点的声压,圆形平板振动各参数如图2所示。式(3)如下 (3) 图2 振膜辐射所需参数示意 对于R?a的区域声波到达观察点的振幅差别很小,振幅部分的h近似用R来代替,这里进行了远场近似,相位部分由图2得出式(4) h2=r2+R2-2rRcos(r,) (4) 式(4)取近似表示为 h≈R-rcos(r,) (5) 将式(5)代入式(3)后，声压表示为 (6) 由式(2)得CMUT基频下的振速为 sin(2πft) (7) 将式(7)振幅项代入式(6),并且利用贝塞尔函数的性质式(8)、式(9),解得CMUT辐射的声压如式(10)所示,指向性如式(11)所示 (8) (9) (10) D(θ)=|D1+D2| (11) 其中,D1,D2分别为式(12)、式(13) 3.196J0(kasinθ)J1(3.196)] (12) J1(kasinθ)+3.196J0(kasinθ)I1(3.196)] (13) 式中 J1为一阶贝塞尔函数,I1为一阶虚宗量贝塞尔函数。从声压公式(10)看出，CMUT辐射声压与距离呈反比,与振膜半径的平方呈正比。不同的振膜材料、尺寸会产生不同的ka值与不同的声场分布,可视化结果可以由下文仿真看出。 2 仿真计算 2.1 CMUT振膜特性仿真 首先对不同振膜材料、尺寸的基频进行研究。CMUT振膜材料包括：硅(Si)、氮化硅(Si3N4)、磷化铟(InP)、氧化锌(ZnO)和多晶硅(Poly-Si),不同材料的参数见表1所示。 表1 不同材料的参数 以多晶硅材料制作CMUT薄膜为例,当CMUT薄膜半径a=30～100 μm,薄膜厚度h为1,2,3 μm时，根据式(1),可以获得CMUT薄膜的振动频率随薄膜半径和薄膜厚度的变化情况,如图3(a)所示,振膜越厚，频率越大。当以膜厚为2 μm,半径30～100 μm,计算不同材料的一阶频率(如图3(b)所示),可以看到，当半径增大时，谐振频率迅速减小,当减小到一定程度时，频率变化趋于平缓。 图3 不同振膜设计的基频 对于圆形振膜在基频下的振型分布可由式(2)得出,式(2)振幅项只与位置有关,振膜的振幅分布如图4所示,可以看到，一阶振型是沿中轴线对称的,振膜中心振动最大,边缘为零。